Littelfus首款新型TPSMB非对称TVS二极管,为汽车SiC MOSFET提供卓越的栅极驱动器保护
LITTELFUSE宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列,这是首款上市的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门用于保护汽车应用中的碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求,提供一种结构紧凑的单元件解决方案,取代了传统用于栅极驱动器保护的多个齐纳二极管或TVS元件。
TPSMB非对称TVS二极管
TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器提供卓越的保护,与传统硅基MOSFET或IGBT相比,SiC MOSFET栅极驱动器的开关速度更快,因此容易发生过压故障。TPSMB系列独特的非对称设计支持SiC MOSFET不同的正负栅极驱动器额定电压,确保在使用SiC MOSFET的各种苛刻汽车电源应用中实现更高性能,这些应用包括:
车载充电器(OBC)
电动汽车牵引逆变器
输入/输出接口
Vcc 总线
这些应用要求SiC MOSFET栅极驱动器具有高性能过压保护(OVP),以确保最佳性能、寿命和效率。
Littelfuse保护业务产品管理总监Charlie Cai在强调该产品为汽车工程师带来的价值时表示:“TPSMB非对称TVS二极管系列为SiC MOSFET栅极驱动器保护提供了创新解决方案,无需使用多种元件,简化了工程师的设计流程。其紧凑、可靠的设计可确保关键汽车电源系统免受过压故障的影响,为电动汽车和其他高性能应用的持续发展提供支持。”
TPSMB非对称系列表面贴装TVS二极管具有以下主要特性和优点:
单元件SiC MOSFET栅极驱动器保护:取代多个齐纳或TVS二极管,简化设计并减少元件数量;
非对称栅极驱动器电压保护:专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计,这些驱动器需要不同的负电压和正电压额定值;
设计紧凑:该系列产品采用DO-214AA(SMB J-Bend)封装,非常适合空间受限的汽车设计;
车规级品质:通过AEC-Q101认证,确保为汽车应用提供最高可靠性;
高功率损耗:600W 峰值脉冲功率损耗(10×1000μs 波形)可针对瞬态过压故障提供强大保护;
低钳位电压:VC<10V@30A(8/20µs),可提供最佳负栅极驱动保护;
宽频率稳定性:在高达2MHz的宽工作频率范围内具有稳定的电容,是SiC MOSFET应用的理想之选;
与主流SiC MOSFET兼容:适用于Littelfuse和其他市场领先的汽车SiC MOSFET。
供货情况
TPSMB非对称系列TVS二极管以卷带装形式供应,数量为3,000个。全球Littelfuse授权分销商均可接受样品申请。
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