【技术】解析MOSFET的dV/dt失效
dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。dV/dt是单位时间内的电压变化量,VDS的上升坡度越陡,越容易发生MOSFET的dV/dt失效问题。一般来说,反向恢复特性越差,dV/dt的坡度越陡,越容易产生MOSFET的dV/dt失效。本文ROHM将为您详细介绍什么是MOSFET的dV/dt失效。
什么是dV/dt失效
如下图所示,dV/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB,导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差VBE,使寄生双极晶体管导通,引起短路并造成失效的现象。通常,dV/dt越大(越陡),VBE的电位差就越大,寄生双极晶体管越容易导通,从而越容易发生失效问题。
MOSFET的dV/dt失效电流路径示意图(蓝色部分)
此外,在逆变器电路或Totem-Pole PFC等上下桥结构的电路中,反向恢复电流Irr会流过MOSFET。受该反向恢复电流影响的dV/dt,可能会使寄生双极晶体管误导通,这一点需要注意。dV/dt失效与反向恢复特性之间的关系可以通过双脉冲测试来确认。双脉冲测试的电路简图如下:
双脉冲测试的电路简图
dV/dt和反向恢复电流的仿真结果如下图所示。设MOSFET①~③的栅极电阻RG和电源电压VDD等电路条件相同,仅反向恢复特性不同。图中列出了Q1从续流工作转换到反向恢复工作时的漏源电压VDS和漏极电流(内部二极管电流)ID。
双脉冲测试的仿真结果
一般情况下,与MOSFET①相比,MOSFET③可以说是“反向恢复特性较差(Irr和trr大)”的产品。从这个仿真结果可以看出,反向恢复特性越差,dV/dt的坡度就越陡峭。这一点通过流经电容器的瞬态电流通常用I=C×dV/dt来表示也可以理解。此外,在上述仿真中,Irr的斜率(di/dt)均设置为相同条件,但当di/dt陡峭时,dV/dt也会变陡峭。
综上所述,可以说,在桥式电路中使用MOSFET时,反向恢复特性越差的MOSFET,发生MOSFET的dV/dt失效风险越大。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自ROHM,原文标题为:R课堂 | 什么是dV/dt失效,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【经验】可背面散热的封装MOSFET热阻和容许损耗的计算方式,掌握环境温度、MOSFET的功率损耗以及RthJA值
本文介绍可背面散热的MOSFET封装和其热阻和容许损耗之间的关系,通过ROHM的产品封装如:TO-220FM和TO-247等可带散热器的封装、TO-252和TO-263等可将背面引脚安装在电路板上的封装举例,讲解MOSFET热阻和容许损耗的计算。
【经验】解析MOSFET的雪崩失效
关于MOSFET的失效机理您有哪些了解?当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。发生雪崩击穿时,会流过大电流,存在MOSFET失效的危险,本文ROHM将为您详细解析MOSFET的雪崩失效。
SOT-416(EMT3)MOSFET可靠性测试结果
描述- 本资料详细介绍了SOT-416 (EMT3)封装MOSFET的可靠性测试结果。测试项目包括焊接热抵抗、可焊性、热冲击、温度循环、高温高湿反向偏置、压力锅测试、负载寿命、高温反向偏置、高温存储、低温存储和引线强度等。所有测试项目均未发现故障,符合标准要求。
TO-220AB MOSFET可靠性测试结果
描述- 本资料为ROHM公司生产的TO-220AB封装MOSFET的可靠性测试结果报告。报告详细列出了包括焊接热抵抗、可焊性、热冲击、温度循环、高低温存储、负载寿命等在内的多项测试项目及其标准,并对测试结果进行了评估。所有测试项目均未出现故障,表明产品可靠性高。
SCT4***6英寸晶圆MOSFET可靠性测试结果
描述- 本资料为ROHM公司关于SCT4*** 6英寸晶圆的MOSFET产品的可靠性测试结果报告。报告详细列出了包括高温反向偏置、高温栅极偏置、温度湿度偏置、温度循环、压力锅测试、高温存储、低温存储、耐焊性、热冲击、端子强度(拉力、弯曲)等在内的多种可靠性测试项目及其结果。所有测试均按照相关标准进行,未出现故障。
型号- SCT4***
静电放电抗扰度MOSFET SH8J66
描述- 本资料介绍了ROHM公司生产的MOSFET产品SH8J66的静电放电免疫特性。资料详细列出了该产品在不同测试标准下的ESD免疫结果,包括JEDEC JESD22-C101和JEITA ED-4701/302标准下的测试结果。同时,资料也提醒了产品静电敏感的特性,并提供了在制造和储存过程中的注意事项。
型号- SH8J66
静电放电抗扰度MOSFET US5U35
描述- 本资料主要介绍了ROHM公司的一款MOSFET产品,包括其静电放电免疫等级、封装类型、测试标准和结果。产品符合JEDEC JESD22-C101和JEITA ED-4701/302标准,具有较好的静电放电抵抗能力。资料还提醒用户,该产品为静电敏感产品,需注意防静电处理。
型号- US5U35
RJ1L12DGN MOSFET静电放电抗扰度
描述- 本资料主要介绍了ROHM公司生产的MOSFET产品的静电放电免疫性能。资料详细列出了该产品在不同测试标准下的静电放电免疫等级,包括JEDEC JESD22-C101和JEITA ED-4701/302标准下的测试结果。同时,资料还强调了该产品对静电敏感,需在制造和储存过程中采取适当措施以防止电压超过最大额定值。此外,资料还提供了关于产品使用、安全措施、技术信息、应用范围和法规遵守等方面的注意事项。
型号- RJ1L12DGN
静电放电抗扰度MOSFET SH8M14
描述- 本资料主要介绍了某款MOSFET产品的静电放电免疫性能。资料详细列出了该产品在不同测试标准下的静电放电免疫测试结果,包括CDM和HBM两种模型下的测试数据。同时,资料还提醒了产品对静电敏感,需要在制造和储存过程中注意防静电,并提供了相关的安全措施和建议。
型号- SH8M14
静电放电抗扰度MOSFET QS5U27
描述- 本资料主要介绍了ROHM公司生产的MOSFET产品的静电放电免疫性能。资料详细列出了该产品在不同测试标准下的静电放电免疫等级,包括CDM和HBM两种测试模型,以及相应的测试结果。同时,资料还提醒用户该产品为静电敏感产品,需注意在制造和储存过程中的静电防护措施。
型号- QS5U27
RJ1L12CGN MOSFET静电放电抗扰度
描述- 本资料主要介绍了ROHM公司生产的MOSFET产品的静电放电免疫性能。资料详细列出了该产品在不同测试标准下的静电放电免疫等级,包括CDM和HBM两种模型下的测试结果。同时,资料还强调了该产品对静电敏感,需在制造和储存过程中采取适当措施以防止电压超过最大额定值。此外,资料还提供了关于产品使用、安全措施、技术信息、应用范围和法规遵守等方面的注意事项。
型号- RJ1L12CGN
静电放电抗扰度MOSFET EM6K6
描述- 本资料主要介绍了ROHM公司生产的MOSFET产品的静电放电免疫性能。包括不同测试标准下的ESD免疫等级,如JEDEC JESD22-C101和JEITA ED-4701/302标准下的测试结果。同时,资料还强调了产品对静电敏感,需在制造和储存过程中注意静电防护,并提供了注意事项和产品使用限制。
型号- EM6K6
静电放电抗扰度MOSFET RQ1C065UN
描述- 本资料主要介绍了ROHM公司生产的MOSFET产品的静电放电免疫性能。内容包括不同测试标准下的ESD免疫等级,如JEDEC JESD22-C101和JEITA ED-4701/302标准下的测试结果。同时,资料还强调了产品对静电敏感,需在制造和储存过程中注意防静电,并提供了使用注意事项和限制条件。
型号- RQ1C065UN
RJ1L12BGN MOSFET静电放电抗扰度
描述- 本资料主要介绍了ROHM公司生产的MOSFET产品的静电放电免疫性能。资料详细列出了该产品在不同测试标准下的静电放电免疫等级,包括JEDEC JESD22-C101和JEITA ED-4701/302标准下的测试结果。同时,资料还强调了该产品对静电敏感,需在制造和储存过程中采取适当措施以防止电压超过最大额定值。此外,资料还提供了关于产品使用、安全措施、技术信息、应用范围和法规遵守等方面的注意事项。
型号- RJ1L12BGN
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论