【产品】CETC推出TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，最大漏源电压650V
中电国基南方（CETC）推出的WM2A017065K是采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET，TC=25℃时VDS最大值为650V（VGS=0V，ID=100μA），TC=25℃且VGS=18V时ID为81A，RDS(on)典型值低至17mΩ（VGS=18V，ID=50A）。可用于EV充电、服务器电源、DC/DC转换器和太阳能光伏逆变器等。
特征
第二代碳化硅MOSFET技术
高阻断电压，低导通电阻
低电容高速开关
具有低反向恢复电荷（Qrr）的体二极管
优势
更高的系统效率
降低散热要求
功率密度增加
提高系统开关频率
易于并联，驱动简单
启用图腾柱PFC技术
应用
EV充电
服务器电源
太阳能光伏逆变器
UPS
DC/DC转换器
最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
电气特性（TC=25℃，除非另有说明）
二极管反向特性
热特性
封装尺寸（TO-247-3封装）
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