【产品】TO-251-SL封装的-100V P沟道沟槽式MOSFET-TTE01P10AT，耗散功率仅1.5W
TTE01P10AT是无锡紫光微推出的漏源电压为-100V的P沟道Trench MOSFET，采用了沟槽电源技术，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，电气性能出色，针对快速开关应用进行了优化，适用于负载开关和电池开关。
图1 TTE01P10AT的产品图及符号图
TTE01P10AT采用TO-251-SL封装，订购号（丝印代码）为01P10AT。
电气特性方面，TTE01P10AT的连续漏极电流的最大额定值为-1.5A，脉冲漏极电流的最大额定值为-6A。25℃时耗散功率的最大额定值为1.5W，功耗较低。工作结温和存储温度为-55~175℃，符合工业级温度要求。导通电阻最大仅1.54Ω（VGS=-10V）或1.66Ω（VGS=-4.5V）。
TTE01P10AT的特点：
沟槽电源技术
低导通电阻
低栅极电荷
针对快速开关应用进行了优化
TTE01P10AT的应用：
负载开关
电池开关
TTE01P10AT的订购号：
01P10AT
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