【产品】采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V

时间： 2022-09-14 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M，漏源电压为30V，T_C=25℃时，连续漏极电流为90A（V_GS=10V）。该器件无铅和绿色环保，适用于DC/DC转换器、负载开关和同步整流。

产品实物图和示意图

特点：

●漏源电压为30V，连续漏极电流为90A

R_DS（ON）=2.4mΩ（典型值）@V_GS=10V

R_DS（ON）=3mΩ（典型值）@V_GS=4.5V

●超低导通电阻

●开关速度快

●100%雪崩测试

●无铅和器件绿色环保（符合RoHS）

应用：

●DC/DC转换器

●负载开关

●同步整流

绝对最大额定参数：

电气特性(T_C=25℃，除非另有说明)：

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