【产品】P沟道增强型功率MOSFET AM7407，采用沟槽DMOS技术

时间： 2019-06-24 来源：AIT

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AIT推出的AM7407是P沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术。这种先进技术专门用于最大限度地降低导通阻抗，提供卓越的高速开关性能，并且可以在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。

AM7407漏源电压极限值V_DSS为-20V，漏极连续电流可达-42A，工作结温为-55℃~+150℃，存储温度为-55℃~+150℃，如表1所示

表1 AM7407极限参数

V_DSS，漏源电压		-20V
V_GSS，栅源电压		±12V
I_D，连续漏极电流（V_GS = -4.5V）	T_C=25°C	-42A
	T_C=100°C	-26.6A
I_DM，漏极脉冲电流		-120A
I_D，连续漏极电流（V_GS = -4.5V）	T_A=25°C	-14A
	T_A=70°C	-11.2A
P_D，功耗	T_A=25°C	3.1W
	T_A=70°C	2W
I_AS，雪崩电流		-35A
P_D，功耗	T_C=25°C	29W
	T_C=100°C	11.6W
T_J，工作结温		-55℃~+150℃
T_STG，存储温度范围		-55℃~+150℃

在环境温度T_A = 25℃时，其阈值电压V_GS(th)为-0.5V（典型值），开通时间（开通延迟时间t_d(on)=14ns与上升时间t_r=52ns之和）典型值为66ns，关断时间（关断延迟时间t_d(off)=110ns和下降时间t_f=32ns之和）典型值为142ns,同时导通阻抗可低至6.5mΩ，因此其造成的损耗较小，适用于对效率及开关频率要求较高的场合，可用于便携式设备、电源管理以及电池供电系统的设计中。

AM7407采用DFN8（3.3x3.3）封装，其引脚分布图如图1所示，

图1 AM7407引脚分布图

AM7407产品特性

•V_DS = -20V, I_D = -42A

V_GS=-10V时，R_DS(ON₎=6.5mΩ(典型值)

V_GS=-4.5V时，R_DS(ON)=7.8mΩ(典型值)

V_GS=-2.5V时，R_DS(ON)=10mΩ(典型值)

V_GS=-1.8V时，R_DS(ON)=13mΩ(典型值)

•AM7407采用DFN8（3.3x3.3）封装

AM7407应用领域

•便携式设备

•电源管理

•电池供电系统

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