【应用】超低电容TVS阵列实现CVBS端口的静电和浪涌保护

时间： 2017-04-26 来源：世强

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【摘要】超低负载电容高浪涌ESD保护TVS阵列具有降低信号衰减和提高雷击抗扰度，因此是工程师优选选择的CVBS端口静电防护器件。SLVU2.8HTG二极管TVS阵列采用SOT-23小型表面贴装，具有2pF超低的负载电容，可将1GbE接口的信号衰减程度降至最低，雷击抗扰度大幅提高到40A（tP=8/20μs）。该器件提供高达±30kV（接触放电）和超过了IEC61000-4-2ESD标准的ESD最高保护水平。

CVBS中文名字叫复合同步视频广播信号或复合视频消隐和同步，是美国国家电视标准委员会（NTSC）电视信号的传统图像数据传输方法，它以模拟波形来传输数据。对于CVBS端口的应用，因为用户在使用中过程中经常性热插拔，会导致板上的芯片非常容易受静电影响，因此非常有必要对端口加上保护器件防止损坏芯片。

静电防护是10/100/1000以太网、广域网/局域网设备、测试和测量设备、交换系统、仪表、音频/视频输入等各种CVBS端口应用的主要防护类型。因为超低负载电容高浪涌ESD保护TVS阵列具有降低信号衰减和提高雷击抗扰度，所以工程师在为上述高速传输数据的CVBS端口选择静电防护器件时，会优先选择超低电容高浪涌ESD保护TVS阵列。本篇给大家介绍的是基于二极管阵列ESD放电二极管SLVU2.8HTG的静电防护。

图1：SLVU2.8HTG内部结构图

图2：SLVU2.8HTG简易应用图

SLVU2.8HTG二极管TVS阵列采用SOT-23小型表面贴装。瞬态抑制二级管由特制的P-N半导体结组成，可提供浪涌保护。PN结通常覆膜，以防在非导电状态下过早出现电压弧闪。出现瞬态电压时，瞬态抑制二级管开始导电，并通过雪崩效应钳制瞬态电压。

SLVU2.8HTG具有更低的负载电容（2pF），可将1GbE接口的信号衰减程度降至最低水平，同时还大幅提高1GbE接口的雷击抗扰度，达到40A（tP =8/20?s）。此外,该器件超过了IEC61000-4-2ESD标准的ESD最高保护水平，可提供高达±30kV（接触放电）的保护，能够帮助制造商制造出满足GR-1089（NA）、ITU K.20/21（欧洲）和YD/T（中国）等标准要求的CVBS端口。

SLVU2.8HTG超低电容TVS阵列在高浪涌ESD保护中的主要特性与优势总结如下：
1）ESD、IEC61000-4-2、±30kV接触放电/±30kV空气放电；
*ESD保护水平远远超过了IEC61000-4-2标准的最高保护水平（±8kV）

2）雷击、IEC61000-4-5、40A（tP=8/20μs）
*高级雷击保护有助于满足符合法规标准的设计要求

3）每个I/O仅2pF（典型值）
*低电容能够将信号衰减程度降至最低水平，特别是针对1GbE界面的应用

4）超低的动态电阻仅约0.4Ω
*ESD静电二极管低导通电压和动态电阻提供了超低箝位电压

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