【产品】具有开尔文引脚的车规级SiC MOSFET-P3M06025K4，栅氧层可靠性卓越，提升整体效率
派恩杰推出的P3M06025K4是一款SiC MOSFET。碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET P3M06025K4具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此SiC MOSFET P3M06025K4采用TO247-4引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而提高开关速度，减小开关损耗，提高效率。
P3M06025K4 SiC MOSFET产品特点：
符合AECQ-101
超小型Qgd
卓越的栅氧层可靠性
优异的高温特性
+15/-3V驱动
100%UIS测试
P3M06025K4产品优势：
优异的性能
适合硬开关
减小系统体积
提升整体效率
车规级器件
适合双向拓扑
减小散热器尺寸
降低系统成本
应用领域：
光伏逆变器系统
储能系统
电机驱动
新能源车用OBC
11/20kw双向OBC架构
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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