【产品】具有开尔文引脚的车规级SiC MOSFET-P3M06025K4，栅氧层可靠性卓越，提升整体效率

时间： 2022-11-22 来源：派恩杰官网

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派恩杰推出的P3M06025K4是一款SiC MOSFET。碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET P3M06025K4具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下R_dson偏移小可获得更好的高温特性。此SiC MOSFET P3M06025K4采用TO247-4引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而提高开关速度，减小开关损耗，提高效率。

P3M06025K4 SiC MOSFET产品特点：

符合AECQ-101
超小型Qgd
卓越的栅氧层可靠性
优异的高温特性
+15/-3V驱动
100%UIS测试

P3M06025K4产品优势：

优异的性能
适合硬开关
减小系统体积
提升整体效率
车规级器件
适合双向拓扑
减小散热器尺寸
降低系统成本

应用领域：

光伏逆变器系统
储能系统
电机驱动
新能源车用OBC
11/20kw双向OBC架构

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃