【选型】25G LANWDM光模块小型化设计推荐eGaN FET EPC2035,0.9x0.9mm小封装
25G LANWDM光模块解调电路中一般选择双通道运算放大器SGM8558-2S对输入调制波进行放大,为满足光模块小型化设计需求,一般对运放输入级信号控制的开关管有小尺寸要求,具体选型因素参考如下:
1、 小尺寸封装:封装尺寸越小越好,建议选择1mm x 1mm;
2、 VDS耐压:考虑到Vbus工作电压一般为3.5V,建议选择耐压5V以上的开关管;
3、 连续电流ID:考虑到一般用MCU驱动(如EFM8LB1)开关管做低频(1kHz)开关控制,使用的连续电流一般小于10mA(通常是5mA左右),这点一般开关管都可以满足设计需求;
4、 低成本
针对如上的设计需求,推荐选择EPC的eGaN FET EPC2035,典型封装尺寸仅0.9x0.9mm,VDS最大漏源工作电压为60V,额定电流ID为1A,工作温度范围-40℃~150℃,典型电性参数参考如下图1所示。
图1、EPC2035典型电性参数
推荐EPC的EPC2035理由如下:
1、0.9x0.9mm超小体积,可满足光模块小型化设计需求;
2、市面上有成熟的应用,产品性能得到可靠性验证;
3、世强平台常备库存,具有良好的供货交期,可以快速支持样品和量产服务。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
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Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
|
20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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