【产品】漏源电压达100V的N沟道高级功率MOSFET RU1H35L，导通电阻典型值21mΩ
锐骏半导体推出一款N沟道高级功率MOSFET RU1H35L，封装为TO-252。该款器件拥有超大过电流能力，可靠且满足环保要求。
其拥有如下特点：
1. 100V/40A
RDS(ON) =21mΩ（典型值）@VGS=10V
2. 超高密度单元设计
3. 100%雪崩测试
4. 满足无铅、绿色环保（符合RoHS标准）
其应用领域包含：
1. 高速功率切换
绝对最大额定值参数
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
注：
①脉冲宽度受限于安全工作区
②根据最大允许结温计算出的持续电流
③贴装在1英寸方形铜板时，t≤10s。任何特定应用数值取决于用户特定的电路板设计
④受限于TJmax，IAS=19A，VDD=48V，RG=50Ω，开始于TJ=25℃
⑤脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
⑥由设计保证，未进行生产测试
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