【产品】TO-220F封装的650V的超结功率MOSFET TPA65R190MFD，导通电阻最大仅0.19Ω

时间： 2019-10-19 来源：无锡紫光微

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无锡紫光微电子有限公司专注于先进半导体功率器件的研发和销售。 TPA65R190MFD是其推出的超结功率MOSFET。该产品的漏源电压为650V，耐压性能较好，采用TO-220F封装，器件体积较小，对电路板占用的面积较少。

TPA65R190MFD具有极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，同时，该产品具有超快速恢复的体二极管，响应速度快。该产品主要用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。

图1 TPA65R190MFD的产品图及电路图

电气特性方面，TPA65R190MFD的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可应用于极端的温度环境。连续漏极电流达20A，温度适应能力较好。脉冲漏极电流达60A，单脉冲雪崩能量为484mJ，雪崩电流为3.5A，可有效避免瞬态高电流对器件造成损坏。耗散功率较低，为34W。最大体二极管换向速度达900A/us，切换速度快。导通电阻最大仅0.19Ω，器件的导通损耗较低。结壳热阻为3.7℃/W，产品散热能力较好。体二极管的反向恢复时间的典型值为112ns。

TPA65R190MFD的特点：

超快速恢复的体二极管

极低品质因数

通过了100％雪崩测试
符合RoHS标准

TPA65R190MFD的应用：

开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）

TPA65R190MFD的丝印代码：

65R190MFD

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沧桑岁月 Lv8. 研究员 2019-10-21

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