【产品】TO-220F封装的650V的超结功率MOSFET TPA65R190MFD，导通电阻最大仅0.19Ω
无锡紫光微电子有限公司专注于先进半导体功率器件的研发和销售。 TPA65R190MFD是其推出的超结功率MOSFET。该产品的漏源电压为650V，耐压性能较好，采用TO-220F封装，器件体积较小，对电路板占用的面积较少。
TPA65R190MFD具有极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，同时，该产品具有超快速恢复的体二极管，响应速度快。该产品主要用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。
图1 TPA65R190MFD的产品图及电路图
电气特性方面，TPA65R190MFD的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可应用于极端的温度环境。连续漏极电流达20A，温度适应能力较好。脉冲漏极电流达60A，单脉冲雪崩能量为484mJ，雪崩电流为3.5A，可有效避免瞬态高电流对器件造成损坏。耗散功率较低，为34W。最大体二极管换向速度达900A/us，切换速度快。导通电阻最大仅0.19Ω，器件的导通损耗较低。结壳热阻为3.7℃/W，产品散热能力较好。体二极管的反向恢复时间的典型值为112ns。
TPA65R190MFD的特点：
超快速恢复的体二极管
极低品质因数
通过了100％雪崩测试
符合RoHS标准
TPA65R190MFD的应用：
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）
TPA65R190MFD的丝印代码：
65R190MFD
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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