【选型】高压N沟道MOS管TPD60R360MFD助力反激拓扑开关电源设计，VDS耐受电压达600V

时间： 2022-04-22 来源：世强

TPD60R360MFD是无锡紫光微主推一款600V、内阻为360毫欧，小体体积贴片封装的N沟道MOS器件。广泛应用在小体积的开关电源的高频开关器件，具有低阻抗，可靠性高，其雪崩能量为210mJ，散热性好，热阻为1.5℃/W。

与客户研发沟通如下：在一款50W左右的反激拓扑开关电源中，目前正在寻找一款高于600V，电流大于10A的高压贴片N沟道MOS管。因此推荐无锡紫光微TPD60R360MFD，它是一款600V、11A的高压N沟道MOS管，具有低阻抗的，且为贴片TO252封装，便于散热与安装。

TPD60R360MFD其主要参数如下：

其最大额定规格如下（25℃）：

从上面参数可以看出，VDS的耐受电压为600V，且Qg比较小，容易设计驱动，导通阻抗最大360毫欧，可以有效的降低导通阻抗，TO-252小尺寸的贴片封装满足客户高度和集成度高的需求，且通过PCB散热快，耗散功率83W，便于热设计。而且无锡紫光微是国产品牌，交期短，供货好。

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May. 2022 - 数据手册 - Ver. C.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F，漏源电压500V，导通电阻仅0.32Ω

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2023-08-31 - 产品代理服务技术支持采购服务

1000V/5A的N沟道MOS管SL5N100P，导通电阻仅为4.2Ω，具有极高的dv/dt能力

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2024-03-12 - 产品代理服务技术支持采购服务

P3M12120K4 N沟道增强型SiC MOS

该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M12120K4型号SiC MOSFET。该器件采用N沟道增强型设计，具备高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等应用。

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Apr. 2024 - 数据手册 - Ver. C.2 代理服务技术支持采购服务

漏源电压可达1000V的N沟道MOS管SL8N100F，连续漏极电流8A，适用于高频开关电源等领域

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2024-02-02 - 产品代理服务技术支持采购服务

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