亚成微电子入选西安市两化融合管理体系贯标试点企业名单,大力推动信息化建设推动芯片国产化进程
近日,西安市工业和信息化局公布了2023年市级两化融合管理体系贯标试点企业名单,亚成微电子成功入选!
与世界先进水平相比,中国半导体产业起步较晚,目前虽在全球市场份额第一且保持上升趋势,但在体现技术创新的IC供给端仍然较为薄弱,自给率水平不高。大力推进信息化和工业化的深度融合,对于半导体企业转型升级、加快自主创新步伐具有重大的战略意义。
亚成微电子自成立便将“高速功率集成技术的引领者”作为企业愿景,期望通过硬科技创新推动芯片国产化进程。为此,亚成微电子大力推动信息化建设,设立专职信息部门,引进专业的信息化应用人才,努力将信息化融入企业日常办公、设备管理和生产管理当中。近年来用于公司信息化建设的费用累计超过了500万元,为未来信息化发展打下了良好基础。
两化融合管理体系贯标试点工作的开展,是规范公司信息化建设的需要,也是中国制造未来的发展方向,亚成微电子将要借助两化融合管理体系,在质量、技术、产品、业务和管理等多个维度上,以信息化为支撑,追求可持续发展模式,打造公司新型竞争力。
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型号- RM9003X 系列,RM9003XX,RM9001DE,RM9031A,RM9023D,RM9001DB,RM9023F,RM9001DA,RM9023E,RM9003B,RM9023-XX,RM9003A,RM9010GBV,RM9012GB,RM9010GB,RM9023-05,RM9010X,RM9226,RM9006X,RM9001AH,RM9005AC,RM9001AF,RM9001AE,RM9003EE,RM9023-29,RM9033GA,RM06R20X,RM9033GE,RM9033GF,RM9115,RM9006ABS,RM9031X,RM9023X,RM9003X,RM9015X,RM9003BD,RM9003BB,RM9002DE,RM9015CB,RM9002DC,RM9001D,RM9002DB,RM9005G,RM06R20E,RM9023-20,RM06R20D,RM06R20C,RM9005E,RM06R20B,RM9126A,RM06R20A,RM9126B,RM9012X,RM9001AS,RM901CE,RM923X,RM9016X,RM9016BH,RM9006AC,RM9006AB,RM9010E,RM9023-07,RM9030E,RM9001X 系列,RM9003GA,RM9013,RM9016,RM9030CF,RM9015,RM9023-15,RM9103A,RM9023-13,RM9001X
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型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL
亚成微电子(Reactor Microelectronics)功率MOSFET选型指南
描述- 亚成微专注于高速率功率集成技术设计领域。主要产品包括功率MOSFET、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及包络追踪射频功率放大器(ET-PA)等。产品可被广泛应用于5G通讯、消费电子以及LED照明等多领域中。亚成微拥有由多名博士带领的国际领先技术的设计团队,公司自主研发的产品已获得国家专利62项、国际专利3项,另有67余项专利正在受理中,其中包含9项国际专利。
型号- RMA65R1K0SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMC65R280SN,RMA65R950SN,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMG65R380SN,RMG65R650BN,RMXXXRXXX,RMC65R950SN,RMA65R650BN,RMA65R280SN,RMG65R1K0SN,RMC65R650BN,RMG65R280SN,RMC65R380SN
亚成微电子高压超结MOS选型表
亚成微高压超结MOSFET,VDS:80V~700V,ID:4A~70A,PD:30W~480W
产品型号
|
品类
|
Vᴅs (M)(V)
|
Iᴅ(A)25
|
Pᴅ(W)25
|
Rᴅs₍ᴏɴ₎(Vɢs=10V)Max
|
Qɢ(nC)(Vɢs=10V)Typ
|
Vɢs (V)
|
Vɢs₍th₎ (V)Typ
|
Package
|
RMA70R1K0SN
|
高压超级结MOSFET
|
700
|
4
|
37
|
1000
|
9.1
|
30
|
3.3
|
TO-252
|
选型表 - 亚成微电子 立即选型
亚成微电子(Reactor Microelectronics)高压超结MOSFET选型指南
描述- 亚成微电子股份有限公司(简称“亚成微”),成立于2006年,是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,总部位于西安,在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片(ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线,可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。
型号- RMA65R1K0SN,RMG70R650SN,RME60R190SF,RMK70R280SN,RMK65R380SN,RME70R650SN,RMF60R090SF,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMC60R190SF,RMC70R1K0SN,RMG65R1K0SN,RMC70R380SN,RMC70R650SN,RME65R380SN,RMD65R380SN,RMA70R650SN,RMC65R380SN,RME70R380SN,RMA65R650SN,RME65R280SN,RMC70R280SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMG70R1K0SN,RME70R280SN,RMA70R380SN,RMC65R280SN,RMC65R650SN,RMD65R650SN,RMD65R280SN,RMXXXRXXX,RME65R650SN,RMC65R600BN,RMA65R280SN,RMK65R280SN,RMD120N08S,RMA70R1K0SN,RMF65R041SF,RMK70R380SN,RMA70R280SN,RMG65R650SN,RMD070N10S
【产品】电流模式PWM控制芯片RM6648S,内置650V高压功率管,符合6级能效标准
RM6648S是亚成微电子推出的一颗电流模式PWM控制芯片,使用SOP-8无铅封装,内置高压功率MOSFET,用于功率在20W以内的方案。采用抖频技术更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。系统的跳频频率设置在音频上,工作时可以避免系统产生噪音。
产品 发布时间 : 2023-05-03
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描述- 陕西亚成微电子股份有限公司,成立于2006年,是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,且是注册在西安高新区内的规模以上国家高新技术企业。研发覆盖半导体功率IC和功率器件两大类,主要产品包括包络跟踪射频功率放大器(ET-PA)、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及功率MOSFET等。产品可被广泛应用于无线通信、消费电子、汽车电子以及LED照明等多领域中。
型号- RM9001DD,RM6801X,RM9001DC,RM9001DB,RM9001DA,RM9003B,RM9003A,RM9012GB,RM9010GB,RM9023,RM32XX,RM66040ND,RM34XX,RM6801S,RM9005AG,RM9005AE,RM335X系列,RM9005AC,RM6801X系列,RM9001AF,RM9001AE,MOS-RMX65R系列,RM9001AA,RM9012D,MOS-RMX65R,RM9012B,RM6820系列,RM9035X,RM335X,RM68XX,RM671X,RM343X,RMA65R650SN #2,RMA65R650SN #3,W*65R650 #1,W*65R650 #2,W*65R650 #3,RM6601X,RM9001D,RM6601X系列,RM343X系列,RM9001A,RM33XX,RMA65R650SN #1,RM9006AC,RM9006AB,RM6801SN,RM9010E,RM67XX系列,RM9010B,RM9026B,RM9006F,RM9006A,RM9026A,RM6820,RM65XX,RM63XX,RM67XX
【产品】电流模式PWM控制芯片RM6312DA,内置650V高压功率管,开关频率65kHz
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公司动态 发布时间 : 2022-09-24
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RM6334D是一款低待机功耗副边反馈开关电源控制芯片,适用于小功率离线式开关电源。该芯片集成有高压功率MOSFET,电流模式PWM+PFM控制,抖频功能可优化EMI表现,打嗝模式能降低系统的待机功耗,极低的启动电流和软启动控制电路保证系统快速安全的启动。
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亚成微电子推出的RM6314DA是一颗电流模式PWM控制芯片,使用DIP-8无铅封装,内置高压功率MOSFET,用于功率在15W以内的方案。内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(OVP)等。
产品 发布时间 : 2023-05-01
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提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试;9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试,天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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