【产品】新一代SDRAM！增加便携式电子产品的电池寿命
ALLIANCE Memory近日在134-ball FBGA 封装中推出了新一代高密度CMOS移动低功耗DDR2（LPDDR2）SDRAM，存储密度为1GB，2GB和4GB。这些器件提供各种省电功能，包括1.2V/1.8V工作电压，以延长便携式电子设备的电池寿命，而其高密度可实现超薄设计。
近日发布的LPDDR2 SDRAM为智能手机和平板电脑等移动设备的超低电压内核和I/O电源提供了可靠的pin to pin兼容替代方案。对于这些产品，IC具有自动温度补偿自刷新（TCSR）功能，可在较低的环境温度下降低功耗。此外，它们的部分阵列自刷新（PASR）功能通过仅重新启动关键数据来降低功耗，而深度断电（DPD）模式在不需要数据保留时提供超低功耗状态。
表一：选型表
LPDDR2 SDRAM采用双倍数据速率的四位预取架构，以400MHz和533MHz的时钟速率提供高速运行，可工作在商业（-30℃至+85℃）和工业级（-40℃至+85℃）温度范围内。该器件提供4,8或16位的可编程读或写脉冲串长度;其自动预充电功能提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电以及易于使用的刷新功能包括自动刷新或自刷新功能。LPDDR2 SDRAM符合ROHS标准，无铅，无卤素。
Alliance Memory提供广泛的移动低功耗SDRAM阵列，帮助设计人员满足便携式电子设备（包括64M，128M，256M，512M和1GB LPDDR1 SDRAM以及16GB LPDDR3 SDRAM）降低功耗的需求。134-ball FBGA封装中的8GB 256M x 32 LPDDR2 SDRAM即将推出。
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
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3
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