【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3，导通电阻仅40 mΩ

时间： 2020-06-26 来源：派恩杰

技术问答

派恩杰（PN Junction）推出的650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3，符合ROHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，阻值仅为40 mΩ，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

图1 产品实物图

图2 产品原理图

N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3特点

-高阻断电压，低导通电阻

-高频工作

-超小Qgd

-通过100％UIS测试

N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3优点

-提高系统效率

-提高功率密度

-减少散热器需求

-节省系统成本

N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3应用

-太阳能逆变器

-电动汽车电池充电器

-高压DC/DC转换器

-开关电源

最大额定值（除非另有说明，否则在T_J = 25℃时）

尺寸图

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P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

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