【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3，导通电阻仅40 mΩ

时间： 2020-06-26 来源：派恩杰

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派恩杰（PN Junction）推出的650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3，符合ROHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，阻值仅为40 mΩ，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

图1 产品实物图

图2 产品原理图

N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3特点

-高阻断电压，低导通电阻

-高频工作

-超小Qgd

-通过100％UIS测试

N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3优点

-提高系统效率

-提高功率密度

-减少散热器需求

-节省系统成本

N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3应用

-太阳能逆变器

-电动汽车电池充电器

-高压DC/DC转换器

-开关电源

最大额定值（除非另有说明，否则在T_J = 25℃时）

尺寸图

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目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

P3M06040K3 N沟道增强型SiC MOS

描述- 该资料详细介绍了PNJ半导体公司的P3M06040K3型号SiC MOSFET器件。文档涵盖了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性、典型性能、定义和封装轮廓等内容。

型号- P3M06040K3

May. 2022 - 派恩杰 - 数据手册 - Ver. C.0 代理服务技术支持采购服务

派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势

2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。

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派恩杰（PN Junction）公司简介

型号- P2D06006T2,P3D06010F2,P3M12025BD,P2D06004T2,P3D06016K3,P2D06010T2,P2D12010T2,P3D06008F2,P3D12010T2,P3M12120K3,P3M12080K4,P3D06010T2,P3M12080K3,P3M06040K3,P3D06006T2,P3D06020K3,P3M173K0K3,P3D06008T2,P3M12025K3

派恩杰 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

LSIC1MO170E1000 1700 V N沟道增强型SIC MOSFET

描述- 该资料详细介绍了LSIC1MO170E1000型碳化硅(SiC) MOSFET二极管的规格、特性及应用。该器件具有1700伏耐压、1000毫欧姆导通电阻，适用于高频、高效率应用。

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07/16/18 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【应用】派恩杰N沟道碳化硅MOSFET用于车载充电机，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点

某客户在设计一款11KW的双向OBC。在该项目中需求一款N沟道碳化硅MOSFET。规格要求：电压1200V，内阻80ohm，封装：TO247-4；要求过车规认证。本文推荐派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4。

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型号- LSIC1MO120E0160

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【选型】碳化硅场效应管P3M06040K3用于汽车单体DC-DC项目，漏极平均电流值高达68A

汽车单体DC-DC项目中，为了实现逆变时的软开关故一般采用移相全桥拓扑，移相全桥结构可实现零电压开关（ZVS）所以可减小功率开关管的开关应力降低开关时的功率损耗；移相全桥拓扑中将至少使用4颗功率开关管如IGBT或者SIC MOSFET；推荐使用派恩杰的碳化硅场效应管P3M06040K3，其具有导通内阻小，漏极过流能力强的特点。

2023-06-10 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【应用】派恩杰N沟道增强型SIC MOS模块P3M06040K3用于储能电源设计，达到车规级标准

储能电源普遍采用SIC MOS方案，推荐使用派恩杰的N沟道增强型SIC MOS模块P3M06040K3，高阻断电压，低导通电阻为储能电源电路的设计提供了安全性，超小型封装，使得研发人员可更加灵活地设计电路板。

2023-03-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3/080K3/120K3，导通电阻典型值最低仅为25mΩ

P3M12025K3、P3M12080K3、P3M12120K3是派恩杰（PN Junction）推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压，低导通电阻，P3M12025K3导通电阻典型值25mΩ，P3M12080K3导通电阻典型值80mΩ，P3M12120K3导通电阻典型值120mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。

2020-07-03 - 新产品代理服务技术支持采购服务