【产品】两级高功率射频放大器CHA7114-99F,功率附加效率超过40%,专为X波段应用而设计
UMS公司是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商, 同时也是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应商,主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。UMS公司推出的CHA7114-99F是一款专为X波段应用而设计的单片两级GaAs高功率射频放大器,采用UMS特有的0.25μm功率pHEMT工艺制造,包括穿过基板的通孔和空气桥,能为8.5GHz~11.5GHz的高频信号提供20dB的增益。
图一 CHA7114-99F射频放大器工作示意图
CHA7114-99F射频放大器工作在@4dBcp/25°C时能提供典型值为8W的输出功率,以及超过40%的功率附加效率,在不同的工作温度下,都具有极为平滑的线性增益特性,确保了输出信号的稳定。此外,它的小信号增益也可以达到20dB(25°C),CHA7114-99F射频放大器典型的输出功率、功率附加效率和线性增益特性如图二所示:
图二 CHA7114-99F射频放大器主要性能特性曲线
CHA7114-99F射频放大器的外形尺寸为4.41 x 3.31 x 0.07mm,为了简化用户的组装过程,产品的背面设计为RF和DC公用的接地端,同时在芯片的焊盘和背面均采用镀金工艺,能够很好地和共晶焊接方法以及热压连接工艺相兼容。此外,CHA7114-99F射频放大器的工作温度范围为-40°C~+80°C,存储温度范围为-55°C~+125°C,,最高结温为175°C,优良的温度范围特性使得该放大器可以在恶劣的工业环境正常工作,从而具有更高的可靠性。
CHA7114-99F射频放大器的主要特点:
·采用了0.25μm功率pHEMT技术
·工作频率范围:8.5GHz~11.5GHz
·输出功率为8W@4dBcp
·高的功率附加效率(PAE):40%@4dBcp
·静态偏置点:Vd=8V,Id=2A
CHA7114-99F射频放大器主要应用:
·国防工业设备
·雷达信号源
•移动通信系统
·光纤传输
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由南行翻译自UMS,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】2-8GHz高功率射频放大器CHA6015,输出功率37.5dBm
CHA6015-99F是UMS的一款射频高功率放大器,可输出37.5dBm的功率,线性增益可达18.5dB,能覆盖2-8GHz的频率范围。该产品专为国防应用而设计,同时也能够广泛应用于微波系统中。
【产品】数字可变增益放大器最全选型,可广泛应用于射频前端系统
UMS是一家全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商,本文介绍了UMS的数字可变增益放大器,其工作频率覆盖2-4GHz,6-18GHz,动态范围高达39.5dB, 可广泛应用于射频前端系统中。
【产品】L至Q波段模拟衰减器选型全攻略
该系列模拟衰减器采用MESFET工艺制造,工作频率覆盖DC~-45GHz,可用于L至Q波段。
时代速信高性能低噪声放大器、增益模块产品助力射频微波系统性能升级
时代速信GaAs LNA聚焦于第二代半导体GaAs材料,优化电路设计以降低噪声,实现输入输出的良好匹配及高隔离度,同时提供高增益与线性度,确保信号无失真放大。凭借优秀的参数性能、可靠的质量、有竞争力的价格和稳定的交付,GaAs LNA系列产品已广泛应用于移动通信、汽车电子、卫星通信等行业,助力射频微波系统性能升级。
UMS功率放大器(PA)选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品,频率最高可达105GHz,带宽超过20GHz,Gain(dB):10-38.5,Bias(mA):30-2300,Bias(V):2.5-30.
产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain(dB)
|
IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
|
选型表 - UMS 立即选型
High performance MMICs in L, S, C, X,Ku, Ka and Q Bands
型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA8252-99F,CHT4660-QAG,CHA8254-99F,CHR3693-QDG,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4253A98F,CHA4253-QQG,CHR3352-QEG,CHR3693-99F,CHW4212-QKA,CHA8012-99F,CHA2595-QDG,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA4107-QDG,CHA8362-99F,CHA5005-QDG,CHA3666-99F,CHW4313-QAG,CHA8312-99F,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7453-99F,CHA6354-QQA,CHA6653-98F,CHT3091-FAB,CHA3395-98F/QDG,CHA2352-98F,CHW4312-QKA,CHA4253-FAB,CHA8352-99F,CHW4213-QAG,CHA6550-98F,CHR3693-FAB,CHA6282-QCB,CHA7455-99F,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHA2368-98F,CHA8612-QDB,CHA3666-FAB,CHA6357-QKB,CHA6550-QXG
【应用】增益达19dB的LNA低噪声放大器CHA2110-QDG助力X波段卫星通信系统设计,噪声系数仅1.2dB
在X波段卫星通信系统中,低噪声放大器是必不可少的重要器件,它位于射频接收系统的前端,将天线接收到的微弱射频信号进行线性放大,并抑制各种噪声干扰提高系统灵敏度,通常需要具备低噪声系数、高增益等特性。针对此,本文推荐采用UMS公司提供的两级自偏置宽带单片低噪声放大器CHA2110-QDG,其带宽为7GHz~12GHz,完全覆盖了X波段,线性增益典型值为19dB,噪声系数典型值为1.2dB。
【技术大神】运用微带线进行UMS氮化镓射频大功率放大器匹配设计
UMS的CHK025-SOA是一款性能非常强大的射频功率放大器,工作频段可以达到0~5GHz,在CW波的工作条件下,最高输出功率典型值可以达到35W,线性增益典型值可以达到16dB。
UMS–HPA选型表
UMS提供以下技术参数的射频高功率放大器(HPA)选型;典型输出功率可做30~44dBm的选择,线性增益在18~34dB之间,也可在频率宽达2-43.5GHz的范围内做筛选。
产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz) min
|
RF Bandwidth (GHz) max
|
Gain (dB)
|
IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias (mA)
|
Bias (V)
|
Case
|
CHA6015-99F
|
AMPLIFIER – HPA
|
2
|
8
|
18.5
|
-
|
36.5
|
37.5
|
29 @ 3dB comp
|
2000
|
7
|
Die
|
选型表 - UMS 立即选型
【选型】集成收发芯片CHC3014-99F助力X波段通信系统设计,降低BOM成本
X波段通信系统工作频率在8-12GHz,为了满足整个系统小型化、集成化的发展方面,本文推荐UMS公司的X波段集成收发芯片CHC3014-99F,采用0.25um砷化镓工艺制程,裸片封装,内部集成低噪声放大器、功率放大器、移相器、衰减器、开关等器件,可以降低射频BOM成本,是X波段通信系统射频部分小型化的优秀解决方案。
【应用】UMS驱动放大器CHA3063-99F助力X波段射频收发模块,线性增益可达19dB
在X波段通信系统中,驱动放大器是必不可少的重要组成元件,它是放在末级功放前面,对输入信号进行放大,使其达到末级功放要求的输入功率的功率放大器。本文推荐UMS的CHA3063-99F,它的线性增益19dBm,增益高,TR模块接收信号强度更好。
【选型】L至Ka波段HPA最全选型的高功率放大器,频率覆盖2-40GHz
UMS是一家全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商,本文介绍了UMS的功率放大器,工作频率覆盖2-40GHz,饱和输出功率高达42.5dBm,该系列高功放的增益最高可达28dB,OIP3最大为45dBm、P-1dB最大为37.5dBm,这些都使它成为一款性能优异的高功率放大器。可广泛应用到高功率的射频系统中,例如无线通信基站,无线路由器,尤其适用于雷达系统中的信号源。
【应用】UMS三级单片中功率放大器CHA3395用于卫星通信系统驱动放大器,采用砷化镓工艺,带宽21-30GHz
通信系统的信号质量和稳定性与每个器件的选择和设计息息相关。对于中功率放大器的选择,这里推荐UMS的砷化镓工艺三级单片中功率放大器CHA3395,带宽范围达21-30GHz,是动中通卫星通信系统驱动放大器的理想选择。
电子商城
品牌:UMS
品类:GaAs Monolithic Microwave IC
价格:¥169.1086
现货: 1,503
现货市场
服务
可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm,厚度1mm~10mm,最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K,散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。
提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论