【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG,开关速度快

2020-08-01 无锡紫光微
N沟道MOSFET,垂直双扩散场效应晶体管,VDMOSFET,TMA7N65HG N沟道MOSFET,垂直双扩散场效应晶体管,VDMOSFET,TMA7N65HG N沟道MOSFET,垂直双扩散场效应晶体管,VDMOSFET,TMA7N65HG N沟道MOSFET,垂直双扩散场效应晶体管,VDMOSFET,TMA7N65HG

无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFETTMA7N65HGTMC7N65HGTMD7N65HGTMR7N65HGTMU7N65HGVDMOSFET(即垂直双扩散场效应晶体管),具有更小的开关损耗和更快的开关速度,输入阻抗高,驱动功率小,频率特性好,并且具有负的温度系数。

图1 产品外观,封装,内部电路


5款N沟道MOSFET对应封装信息:

图2 产品对应封装

 

5款N沟道MOSFET特点:

•开关速度快

•100%雪崩测试

•改进的dv/dt能力


5款N沟道MOSFET 应用:

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)


5款N沟道MOSFET最大额定值:

图3 最大额定值

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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