【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG，开关速度快

时间： 2020-08-01 来源：无锡紫光微

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N沟道MOSFET,垂直双扩散场效应晶体管,VDMOSFET,TMA7N65HG

无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET：TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

图1 产品外观，封装，内部电路

5款N沟道MOSFET对应封装信息：

图2 产品对应封装

5款N沟道MOSFET特点：

•开关速度快

•100%雪崩测试

•改进的dv/dt能力

5款N沟道MOSFET 应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

5款N沟道MOSFET最大额定值：

图3 最大额定值

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