【产品】37%功率附加效率的单片三级GaAs高功率放大器，专为X波段应用而设计
UMS（United Monolithic Semiconductors）是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商，法国公司Thales&EADS的子公司，主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。UMS推出的一款单片三级GaAs高功率放大器，型号为CHA7115-99F，是专为X波段应用而设计的。该高功率放大器提供典型值8W的输出功率，在4dBcomp时具有36％的功率附加效率，并且在失配负载时具有高稳健性。
图1 CHA7115-99F工作示意图
CHA7115-99F以芯片形式提供及使用，芯片尺寸大小为4.59 x 3.31 x 0.07mm，其采用0.25μm功率pHEMT工艺制造，包括穿过基板的通孔和空气桥。它的工作频率范围在8.5~11.5GHz之间，在4dBcomp和20°C时具有37%（典型值）的功率附加效率，以及39dBm（典型值）的输出功率，比普通的高功率放大器的表现更为优秀，而它的小信号增益在20°C条件下可以达到27.5dB（典型值）。
当Tamb=20℃时，CHA7115-99F的压缩等级为6dB，如果想达到更高的压缩等级，可以通过利用0.5V / dBc的速率降低电压Vd来实现；它的供应电压为-0.8V（有RF输入功率）和10V（没有RF输入功率）；它的静态供应电流为2.8A，而饱和时的供应电流为4A。此外，CHA7115-99F的工作温度范围是-40°C~80°C，存储温度范围是-55°C~150°C，最高结温为175°C，其更宽的温度范围使得该器件能够适应较为恶劣的工业环境，具有更高的使用安全性。
CHA7115-99F高功率附加效率射频放大器主要特点
·0.25μm功率pHEMT技术
·频段：8.5-11.5GHz
·输出功率：39dBm@4dBcomp
·高的线性增益：>27dB
·高的功率附加效率（PAE）：37％@4dBcomp
·静态偏置点：Vd=8V，Id=2.2A
·芯片尺寸：4.59 x 3.31 x 0.07mm
CHA7115-99F射频放大器典型应用
·国防工业设备
·微波通信
·光纤传输
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