【产品】37%功率附加效率的单片三级GaAs高功率放大器,专为X波段应用而设计

2018-12-21 UMS
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UMS(United Monolithic Semiconductors)是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商,法国公司Thales&EADS的子公司,主要服务于航空、通信、汽车雷达、工业、仪器等市场。UMS推出的一款单片三级GaAs高功率放大器,型号为CHA7115-99F,是专为X波段应用而设计的。该高功率放大器提供典型值8W的输出功率,在4dBcomp时具有36%的功率附加效率,并且在失配负载时具有高稳健性。


 

图1 CHA7115-99F工作示意图

 

CHA7115-99F以芯片形式提供及使用,芯片尺寸大小为4.59 x 3.31 x 0.07mm,其采用0.25μm功率pHEMT工艺制造,包括穿过基板的通孔和空气桥。它的工作频率范围在8.5~11.5GHz之间,在4dBcomp和20°C时具有37%(典型值)的功率附加效率,以及39dBm(典型值)的输出功率,比普通的高功率放大器的表现更为优秀,而它的小信号增益在20°C条件下可以达到27.5dB(典型值)。


Tamb=20℃时CHA7115-99F的压缩等级为6dB,如果想达到更高的压缩等级,可以通过利用0.5V / dBc的速率降低电压Vd来实现;它的供应电压为-0.8V(有RF输入功率)和10V(没有RF输入功率);它的静态供应电流为2.8A,而饱和时的供应电流为4A。此外,CHA7115-99F的工作温度范围是-40°C~80°C,存储温度范围是-55°C~150°C,最高结温为175°C,其更宽的温度范围使得该器件能够适应较为恶劣的工业环境,具有更高的使用安全性。

 

CHA7115-99F高功率附加效率射频放大器主要特点

·0.25μm功率pHEMT技术

·频段:8.5-11.5GHz

·输出功率:39dBm@4dBcomp

·高的线性增益:>27dB

·高的功率附加效率(PAE)37%@4dBcomp

·静态偏置点:Vd=8V,Id=2.2A

·芯片尺寸:4.59 x 3.31 x 0.07mm

 

CHA7115-99F射频放大器典型应用

·国防工业设备

·微波通信

·光纤传输

 


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