【产品】60V/0.17A的P沟道增强型场效应晶体管BSS84W，总栅极电荷仅为1.77nC

时间： 2020-12-25 来源：扬杰科技

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BSS84W是扬杰科技推出的P通道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率低压MOSFET技术，非常适用于视频监控和电源管理等相关领域。

图1 BSS84W封装及电路图

BSS84W漏源电压-60V，漏极电流-0.17A（@T_A=25°C、稳态），适用于低漏源电压、低漏电流的场景。R_DS（ON）最大值不超过8Ω（@V_GS= -10V, I_D=-0.15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。具有低栅极电荷特点，总栅极电荷仅为1.77nC（@V_GS=-10V,V_DS=-30V,I_D=-0.15 A）。MOS管的电荷量是影响开关速度的最主要因素，低栅极电荷使得BSS84W具有更快的开关速度。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有极强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。

BSS84W特点：

沟槽功率低压MOSFET技术

低R_DS（ON）

低栅极电荷

BSS84W应用：

视频监控

电源管理

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

2020/12/9 - 杜因特 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

扬杰科技MOSFET选型表

扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；

Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)

Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)

选型表 - 扬杰科技立即选型

FS3401S SOT-23 -30V P沟道增强型场效应管（FS3401S SOT-23 -30V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）

描述- 富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS3401S是一款SOT-23封装的-30V P Channel Enhancement MOSFET场效应管。该产品具有高漏极电流、低导通电阻和良好的热性能，适用于各种电源管理、开关电源和电机驱动等应用。

型号- FS3401S

2024/11/7 - 富信 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS，具有低导通电阻和低阈值电压等特性

萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管，漏源电压达到100V，连续漏极电流为33A，具有低导通电阻和低阈值电压等特性，使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。

2024-05-13 - 产品代理服务技术支持采购服务

60V/50A的N沟道MOS场效应管SL50N06D，具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点

SL50N06D是一款N沟道MOS场效应管，采用先进的Trench技术生产。其具有较高的漏源电压（60V）和连续漏极电流（50A），具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点。它在BLDC电机技术领域不仅能够提高电力传动系统的效率和性能，还能够实现更加智能化的控制，通过对电机相电流进行高精度调控，实现了电机的高效、平稳运行。

2024-05-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

FSN4481S PDFN5X6-8L P 沟道增强型场效应管（FSN4481S PDFN5X6-8L P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）

描述- 富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FSN4481S是一款沟道增强型MOS场效应管，具有低导通电阻和适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域的特性。

型号- FSN4481S

2024/11/5 - 富信 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305，在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势

IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（-60V）和大电流承受能力（-30A），非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（26mΩ@-10V,-15A）和较低的阈值电压（-1.8V@-250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。

2024-05-27 - 产品代理服务技术支持采购服务

FS10P10F SOT-89-3L -100V P 沟道增强型场效应管(FS10P10F SOT-89-3L -100V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)

描述- 本资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS10P10F沟道增强型MOS场效应管。该产品具有高漏极源极电压、低导通电阻等特点，适用于各种电路设计和电源管理应用。

型号- FS10P10F

2024/9/5 - 富信 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

60V/5A N沟道MOS场效应管SL05N06Z，具有低导通电阻、高开关速度、低开关损耗等特点

SL05N06Z是一款N沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（60V）和一定的电流承受能力（5.0A），非常适合用于中压中功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（58mΩ@10V,3A）和较低的阈值电压（1.7V@250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。

2024-05-06 - 产品代理服务技术支持采购服务