MAGNETEC生产由NANOPERM制成的纳米晶环形磁芯MR系列，尺寸为56mm，可以1:1替代铁氧体用于干扰抑制应用
根据使用地点的不同，所有电气设备都必须满足发射干扰和干扰敏感度方面的特定限值。这些在EMC指南和EMC标准中有所规定，例如工业、科学和医学设备（ISM设备）的DIN EN 55011:2018-05。
我们将我们的NANOPERM材料用于环形磁芯和扼流圈，以吸收电源侧的干扰。在此过程中，元件将干扰转化为热量，因此不会形成额外的泄漏电流。通常，这种干扰抑制是不够的，必须使用具有扼流圈和电容器组合的电源滤波器，例如LC滤波器。在调整和设计磁芯时，我们与合作伙伴和客户密切合作，寻找成本和性能优化的解决方案。
电源变压器
例如，如果变压器在kHz范围或更高频率范围内用于SMPS应用，则晶粒取向铁硅合金等磁芯材料不适合，因为它们具有高涡流损耗。相比之下，NANOPERM材料不仅由于磁滞曲线平坦而表现出非常低的损耗，而且可以在很宽的温度范围内也非常稳定。1.2T的高饱和感应大致相当于铁氧体值的三倍。使用NANOPERM环形磁芯可以在较小的安装空间内实现高效率。此外，由于绕组分布均匀，杂散场几乎为零，因为10kHz时的典型磁导率为90,000。因此，带有NANOPERM磁芯的电源变压器特别适合用于采用SiC和GaN半导体的变频器。
辐射干扰对系统的影响
根据定义，辐射干扰是发生在>30MHz频率范围内的干扰，在此频率以下，我们讨论线路传导干扰。对具有更高功率和更高开关频率的变频器(FC)的要求和需求也越来越多地产生在开关操作期间在FC中发生的电气干扰。这种干扰通过电机电缆和电机屏蔽层传播。在MHz范围内的频率的情况下，它们充当天线并将干扰发射到周围区域。
这种发射的干扰不仅经常超出法定限制，而且还会导致自身和外部系统发生故障。无论是在不断发展的电动汽车领域，还是在可再生能源（特别是风能）和工业4.0领域，这都可能产生毁灭性的后果。可能的影响范围从个别停机，到生产线停机，再到对人员造成风险。借助专为吸收高频干扰而设计的Magnetec Cool Tube®磁芯，可以将这些影响降低到无干扰运行的程度。
我们支持您选择合适的产品，与您一起进行现场测量并确定合适的补救措施。我们很乐意亲自帮助您识别和测量干扰，并帮助您专业设计合适的EMC组件。除了简单且免维护的安装外，使用NANOPERM环形磁芯的一个关键优势首先是吸收干扰，换言之，将能量转化为热量。因此有效地减少了干扰并且不会转移到其他（频率）范围，这意味着可以保证无故障运行。
线路传导干扰对系统的影响
根据定义，线路传导干扰是150kHz到30MHz范围内的干扰，超过这个范围就是辐射干扰。对具有更高功率和更高开关频率的变频器(FC)的要求和需求也越来越多地产生在开关操作期间在FC中发生的电气干扰。这种线路传导干扰可分为两类：差模(DM)和共模(CM)。这种干扰可以通过电线在系统内（例如，在电动汽车中）传播并损坏敏感组件，例如微控制器(IC)。此外，在控制端口处产生的浪涌可能导致故障，因此对设备和人员构成相当大的安全风险。
存在控制单元不再正常工作或在极端情况下完全失效的风险。
MAGNETEC生产和供应吸收干扰所需的组件。我们很高兴为您提供我们的专家帮助和专业知识，以检测对抗/减少/抑制干扰！
MR系列作为铁氧体磁芯的替代品
MAGNETEC生产由NANOPERM制成的纳米晶环形磁芯，尺寸为56mm，可以1:1替代铁氧体用于干扰抑制应用。由新的NANOPERM MR系列制成的软磁芯在机械上与标准铁氧体设计兼容。它们在电感、磁芯损耗和阻抗曲线方面具有显着优势。因此，无需对现有应用进行昂贵的重新开发，并且仍然可以使用当前的铁氧体设计规则。
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产品型号
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品类
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磁芯尺寸（mm）
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磁导率（H/m)
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M-049
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纳米晶磁环
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50mm x 40mm x 20mm
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30000H/m
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