【产品】采用TO-220-3封装的增强型N沟道碳化硅场效应晶体管P3M06300T3，漏源电压为650V

时间： 2022-05-31 来源：派恩杰

技术问答

P3M06300T3是派恩杰推出的一款增强型N沟道碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET），具有高频工作，低通态电阻和超低Q_gd等特性，满足RoHS和无卤要求，可用于太阳能逆变器，开关电源等应用。

产品外观和示意图

产品特性

高阻断电压，低通态电阻

高频工作

超低栅漏电荷Q_gd

通过100% UIS测试

产品优势

提高系统效率

增加功率密度

减少散热需求

降低系统成本

产品应用

太阳能逆变器

有源钳位反激，LLC谐振，Class D

移动快速充电器，适配器

笔记本电脑适配器

高压DC/DC转换器

开关电源

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最大额定参数（T_J= 25℃条件下，除非另有说明）：

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

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嗨，各位，请帮忙推荐一款国产SIC MOSFET, 电压650V,N沟道工艺的，应用于太阳能逆变器，谢谢

答：好的，没问题，推荐派恩杰50V/TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，型号P3M06060K4，这个产品符合AEC-Q101标准，具备高阻断电压、低导通电阻的特点，可用在太阳能逆变器上，附上规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/2226279.html。

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