【应用】时钟速率为166MHz的SDRAM助力充电桩控制单元设计,工作温度范围为-40~85℃

2023-04-14 世强
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某客户的充电桩控制单元,选择的主控MCU容量不够,需要扩容。SDRAM因为其较大的容量和相对较低的价格在嵌入式系统中应用广泛。本文推荐ALLIANCEAS4C8M16SA

DRAM(动态RAM),动态随机存取存储器,需要实时刷新来保持数据。DRAM的存储单元是一个晶体管+一个电容,数据以电平为载体保存在电容上。因为电容会漏电,因而需要实时刷新。SDRAM:即是同步DRAM,内核都是1T+1C的存储单元。因为其同步接口的特点,与系统总线时钟严格同步,其本质目的是为了提高读写速度,方便数据读取,广泛应用于内存场景。


AS4C8M16SA  SDRAM的特性:

1、快速读写时钟:5.4ns,时钟速率:166MHz,与主控交互更快,提高设备的性能及相应速率;

2、128Mb,可配置为:同步接口的4个2M word x 16bit 的DRAM组;

2、同步操作,可编程模式寄存器;
3、工作温度:-40~85℃,满足工业产品需求;
4、单电源3.3V供电,可P2P替代晶豪的M12L128168A-6TIG2S;

5、alliance交货周期短,所有器件永不停产,可保证客户产品持续生产。


SDRAM是现代工业产品发展不可或缺的组建之一,其高速传输速率使得它在许多领域中得到广泛应用。alliance的SDRAM具有快速读取时钟、工作温度范围符合工业产品需求,且交期短,非常适合用于客户的充电桩控制单元。


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