【应用】时钟速率为166MHz的SDRAM助力充电桩控制单元设计，工作温度范围为-40~85℃

时间： 2023-04-14 来源：世强

技术问答

某客户的充电桩控制单元，选择的主控MCU容量不够，需要扩容。SDRAM因为其较大的容量和相对较低的价格在嵌入式系统中应用广泛。本文推荐ALLIANCE的AS4C8M16SA。

DRAM（动态RAM），动态随机存取存储器，需要实时刷新来保持数据。DRAM的存储单元是一个晶体管+一个电容，数据以电平为载体保存在电容上。因为电容会漏电，因而需要实时刷新。SDRAM：即是同步DRAM，内核都是1T+1C的存储单元。因为其同步接口的特点，与系统总线时钟严格同步，其本质目的是为了提高读写速度，方便数据读取，广泛应用于内存场景。

AS4C8M16SA SDRAM的特性：

1、快速读写时钟：5.4ns，时钟速率：166MHz，与主控交互更快，提高设备的性能及相应速率；

2、128Mb，可配置为：同步接口的4个2M word x 16bit 的DRAM组；

2、同步操作，可编程模式寄存器；
3、工作温度：-40~85℃，满足工业产品需求；
4、单电源3.3V供电，可P2P替代晶豪的M12L128168A-6TIG2S；

5、alliance交货周期短，所有器件永不停产，可保证客户产品持续生产。

SDRAM是现代工业产品发展不可或缺的组建之一，其高速传输速率使得它在许多领域中得到广泛应用。alliance的SDRAM具有快速读取时钟、工作温度范围符合工业产品需求，且交期短，非常适合用于客户的充电桩控制单元。

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