【应用】超低功耗MCU,最大限延长有源RFID电池使用寿命

2019-08-29 世强 Carol
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RFID(射频标签)作为构建"物联网"的关键技术,近年来逐渐受到人们的关注, RFID由标签卡和读卡器构成。RFID电子标签按照是否电池供电分为有源和无源两种。


有源RFID主要工作频率有超高频433MHZ、915MHz、2.45GHz和5.8GHz等,其具有体积小、远距离自动识别的特性,因而在远距离自动识别领域有着广泛的应用空间。如何设计出优良射频性能的RFID,低功耗是最大限度延长电池使用寿命是重中之重。本文给大家介绍SILICON LABS的超低功耗8位MCU EFM8SB10在有源RFID中的应用。
 

图1:有源电子电子标签框图


上图为有源电子标签的框图。从图中可见MCU作为RFID中的主动元器件,其功耗可能直接影响到整个产品的电池使用寿命,因此对MCU的选型尤为重要。由于RFID电子标签的系统一般比较简单,对MCU的性能和资源要求不会太苛刻。但是由于电池供电和体积小的缘故,对MCU的低功耗和小封装会更加关注。


Silicon Labs的EFM8SB系列是低功耗和电池驱动系统的理想之选,运转主频可达25MHz。EFM8SB10系列是Silicon Labs最节能的8位MCU,提供业界领先的睡眠模式电流(50nA,带有存储器内容保持和欠压检测)和超快速2us唤醒时间。EFM8SB是将创新的低功耗技术和极短的唤醒时间在非常小的封装中实现,使其非常适合于电池供电的RFID应用。


 

图2:EFM8SB架构图


EFM8SB产品特点:
小尺寸、电容感应MCU
25MHz改进型C8051内核,高达64KB Flash和4KB RAM
 3x3mm的标准的20引脚QFN封装
 更小尺寸1.65x1.75mm的16引脚wCSP封装、0.4mm球间距


低功耗、更长的电池寿命解决方案
 50nA休眠电流-保留所有存储和掉电检测(BoD)
 300nA开启内部RTC休眠电流
 88μA/MHz运行功耗(VDD=1.8~3.6V, T=25°C,fSYSCLK>14MHz)
 <1μA触摸唤醒电流
 超快的唤醒时间<2μs
 集成LDO保持在所有工作电压下超低有效电流


通讯外设
 UART
 SPI主/从
 SMBUS/I2C主/从
 16bit CRC单元


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相关技术文档:

Silicon Labs EFM8SB1 8位MCU数据手册(中文详细) 详情>>>

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  • 卡特 Lv6. 高级专家 2019-11-02
    学习
  • 沉浮 Lv7. 资深专家 2018-08-01
    不错
  • 独一无二No1 Lv7. 资深专家 2017-09-03
    写的好详细
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型号- EFM8SB10F4G,EFM8SB10F8G-A-CSP16,EFM8SB10F4G-A-QFN20,EFM8SB10F8G–A–QSOP24R,EFM8SB10F8G-A-QFN20R,EFM8SB10F8G,EFM8SB10F8G-CSP16,EFM8SB10F8G-A-QFN24R,EFM8SB1,EFM8SB10F2,EFM8SB10F2G-A-QFN20R,EFM8SB10F8G-A-QSOP24R,EFM8SB10F2G-A-QFN20,EFM8SB10F8G-A-QSOP24,EFM8SB10F8,EFM8SB10F8G-A-QFN24,EFM8SB10F8A-A-QFN20,EFM8SB10F8G-A-CSP16R,EFM8SB10F4G-A-QFN20R,EFM8SB10F4,EFM8SB10F8G-A-QFN20,EFM8SB10F8A-A-QFN24,EFM8SB10F2G

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