【产品】具有零反向恢复电流和极低开关损耗的1200V SiC肖特基二极管,采用TO-247-2封装

2020-01-28 中电国基南方
SiC肖特基二极管,WS2A015120D,WS2A040120D,WS3A010120D SiC肖特基二极管,WS2A015120D,WS2A040120D,WS3A010120D SiC肖特基二极管,WS2A015120D,WS2A040120D,WS3A010120D SiC肖特基二极管,WS2A015120D,WS2A040120D,WS3A010120D

中电国基南方(CETC)拥有性能优异的SiC肖特基二极管产品,本文主要介绍该公司第三代中的WS3A010120DWS3A020120DWS3A015120D三款产品和二代中的WS2A015120DWS2A040120D两款产品。

产品外观图


CETC的SiC 肖特基二极管的正向导通电压拥有正温度系数,对于多芯片并联的情况不会引起非均流而单个器件热失控,从而很适合并联情况下的使用。另外,SiC SBD是少子器件,导通时不储存少数载流子,所以开关损耗比Si-FRD 中的要低得多,反向恢复电流几乎与温度、正向电流大小无关。


特性

零反向恢复电流

零正向恢复电压

VF具有正向温度系数

与温度无关的开关特性

工作结温175℃


优势

用单极器件代替双极器件

减小了散热器的体积

并联使用不会出现热失控

基本没有开关损耗


应用

开关电源

功率因数校正器

电机驱动,光伏逆变器,风力发电站


参数列表


封装尺寸



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