【产品】2.7V~3.6V单电源的256-Kbit静态RAM R1LV5256E,待机电流为0.6μA
RENESAS(瑞萨)公司的产品R1LV5256E系列是由8位32768字节组成的256-Kbit静态RAM系列,由瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。R1LV5256E系列实现了更高的密度,更高的性能和更低的功耗。R1LV5256E系列适用于以简单接口、电池操作和电池备份为重要设计目标的内存应用程序。 它采用28引脚SOP和28引脚TSOP封装。
特征:
①2.7V~3.6V单电源
②小待机电流:0.6µA(3.0V,典型值)
③没有时钟,没有刷新
④所有输入和输出与TTL直接兼容
⑤通过CS#轻松扩展内存
⑥通用数据I / O口
⑦三态输出:OR-tie能力
⑧OE#防止I / O总线上的数据竞争
订购信息:
引脚说明:
引脚图:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由CW翻译自Renesas,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
评论
全部评论(3)
-
冷若冰 Lv7. 资深专家 2019-10-25好产品
-
AaronC Lv7. 资深专家 2019-10-25了解
-
守猪待兔 Lv7. 资深专家 2019-10-25赞
相关推荐
【产品】高速8K x 9双端口静态RAM(SRAM)IDT7015,适用于18位或更多位数的存储系统应用
IDT(Renesas收购)推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM(SRAM)。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作,而无需其他离散逻辑。
【产品】32位静态RAM RMLV3216A系列,最大访问时间为55ns
Renesas(瑞萨)公司的产品RMLV3216A系列是32位静态RAM,由2097,152字×16位组成,由瑞萨的高性能Advanced LPSRAM技术制造。RMLV3216A系列实现了更高的密度,更高的性能和更低的功耗,RMLV3216A系列具有低功耗待机功耗,因此,它适用于备用电池系统。
【产品】低功耗4 Mbit LPSRAM静态RAM,适用于助力备用电池系统
RMLV0414E系列是由Renesas的高性能先进的LPSRAM技术制作的4 Mbit静态RAM系列,由262,144-word × 16-bit组成。RMLV0414E系列实现了高密度、高性能、低功耗的功能。该系列还具有低待机功耗,可用于备用电池系统等领域。
71321SA/LA 71421SA/LA带中断的高速2K X 8双端口静态RAM
RENESAS - 16K(2K X 8位)主机双端口SRAM,STAND-ALONE 8-BIT DUAL-PORT STATIC RAM,16K (2K X 8-BIT) SLAVE DUAL-PORT SRAM,16K (2K X 8-BIT) MASTER DUAL-PORT SRAM,HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM,"MASTER" DUAL-PORT STATIC RAM,16K(2K X 8位)从双口SRAM,独立8位双端口静态RAM,高速2K X 8双端口静态RAM,“主”双端口静态RAM,71321LA20PFG8,71321LA20PFG,71421LA,71321,71421X35,71421,71321SA55JG8,71321LA55TFG8,71321LA25JGI8,71321SA35TFG,IDT71321,71321LA20TFG,XXXX A 9 999 A A A A,71321X25,71421LA25PFGI,71321LA20JG8,71321LA25PFGI8,71421LA25PFGI8,71321LA20TFG8,71321LA55TFG,71421X20,71321SA,71421LA20JG8,71421LA20PFG8,71421X25,IDT71321/421LA,71321LA25TFGI8,71421LA20PFG,71321SA55JG,71421SA,71321X20,71321LA25PFGI,71321X55,IDT71421,71321LA20JG,71321X35,71321LA55PPGI8,71421LA20JG,71321LA,71321LA55PPGI,71421X55,71321LA25JGI,71321SA35TFG8,71321LA25TFGI,71321SA/LA,71421SA/LA
【产品】4.5V~5.5V的256-Kbit静态RAM R1LP5256E系列,采用0.15um CMOS和TFT技术
Renesas(瑞萨)公司的产品R1LP5256E系列产品是由8位32768字节组成的256-Kbit静态RAM,采用瑞萨的高性能0.15um CMOS和TFT 技术制造。R1LP5256E系列实现了更高的密度,更高的性能和更低的功耗。R1LP5256E 系列适用于以简单接口、电池操作和电池备用为重要设计目标的内存应用程序。
70V9369L高速3.3V 16K x 18同步流水线双端口静态RAM
RENESAS - 288K (16K X 18-BIT) 3.3V SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM,HIGH-SPEED 16K X 18 BIT SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM,HIGH-SPEED 3.3V 16K X 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM,高速3.3V 16K X 18双端口同步流水线静态RAM,288K(16K X 18位)3.3V同步双端口RAM,高速3.3V 16K X 18同步流水线双端口静态RAM,高速16K X 18位同步双口RAM,HIGH-SPEED 3.3V 16K X 18 DUAL-PORT SYNCHRONOUS PIPELINED STATIC RAM,XXXXX A 99 A A A A,70V9369L6,70V9369L,70V9369L9PFG,70V9369L7,IDT70V9369,70V9369L9,70V9369L12,70V9369L9PFG8,70V9369
【产品】高速2K x 8双端口静态RAM 71321SA/LA和71421SA/LA,用于处理器间通信
IDT(Renesas收购)推出的7133SA/7133LA和7143SA/7143LA系列是高速2K x 16双端口静态RAM。7133SA/LA系列设计用作独立的16位双端口RAM,或者作为MASTER双端口RAM结合使用7143SA/LA系列SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位字系统。
【产品】3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM 70V09L,待机能耗仅660uW
IDT(Renesas收购)推出的70V09L是3.3V 高速128K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于16位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
70V9089/79L高速3.3V 64/32K X 8同步双端口静态RAM
RENESAS - 高速3.3V 64/32K X 8同步双端口静态RAM,HIGH-SPEED 3.3V 64/32K X 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM,高速64/32K X 8位同步双端口RAM,512K(64K X 8位)同步双端口RAM,256K (32K X 8-BIT) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM,512K (64K X 8-BIT) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM,HIGH-SPEED 64/32K X 8 BIT SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM,256K(32K X 8位)同步双端口RAM,70V9089/79,IDT70V9089/79,70V9079L7PFG,70V9089/79X9,70V9089/79X6,70V908S/L25,70V907S/L25,70V9089L12,70V9089/79X7,70V9079L7,IDT70V9079,70V9089/79L,70V9089/79S,70V9089/79X12,70V9079L,XXXXX A 99 A A A A,70V9079L7PFG8,70V9089L,70V9089/79X15,70V9089L12PFGI8,70V9089L12PFGI
Intersil HM-65642/883异步CMOS静态RAM数据手册
该资料详细介绍了HM-65642/883型CMOS静态随机存取存储器(SRAM)的特性和规格。该产品采用全CMOS设计,具有低功耗、快速访问时间、宽温度范围等特点,适用于微处理器系统,特别是与Intersil 80C86和80C88微处理器的接口。
RENESAS - 8K X 8 ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM,8K X 8异步CMOS静态RAM,HM1-65642/883,HM1-65642C/883,HM1-65642B/883,HM4-65642B/883,HM-65642/883,HM4-65642/883,工业电子,消费电子,航空航天,汽车电子
【产品】高速256/128Kx18位同步双端口静态RAM 70V3319、70V3399S,内核电源保持在3.3V
IDT70V3319、IDT70V3399S是IDT(Renesas收购)推出的高速256/128Kx18位同步双端口RAM。存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。 控制、数据和地址输入寄存器提供最少的建立时间和保持时间。通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。通过输入数据寄存器,两款产品已针对具有突发中的单向或双向数据流的应用进行了优化。
70V26S/L高速3.3V 16K x 16双端口静态RAM
RENESAS - 256K (16K X 16) 3.3V DUAL-PORT RAM,HIGH-SPEED 3.3V 16K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM,HIGH-SPEED 16K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM,高速16K X 16双口静态RAM,256K(16K X 16)3.3V双端口RAM,高速3.3V 16K X 16双端口静态RAM,70V26S55G,70V26S35G,70V26L35G,70V26S/L,70V26L25G,XXXXX A 999 A A A A,70V26L,70V26L55G,70V26L25JG,70V26X55,70V26S,70V26L25JG8,IDT70V26,IDT70V26G,70V26X25,70V26,70V26X35
【产品】CMOS静态RAM IDT71016,1Mbit (64Kx16bit)
IDT(Renesas收购)推出的IDT71016(71016S)是容量为1,048,576位的高速静态RAM,结构为64K x16。它采用高性能,高可靠性CMOS技术制造。 这是最先进的技术与创新的电路设计技术相结合,为满足高速存储需求提供了经济高效的解决方案。
【产品】低待机功耗的64Mbit静态RAM RMWV6416A系列,适用于备用电池系统
Renesas(瑞萨)公司的产品RMWV6416A系列是64Mbit静态RAM系列,由4194,304字×16位组成,由瑞萨的高性能Advanced LPSRAM技术制造。RMWV6416A系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该RAM具有低待机功耗; 因此,它适用于备用电池系统。
7028L高速64K X 16双口静态RAM
RENESAS - HIGH-SPEED 64K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM,1024K (64K X 16) DUAL-PORT RAM,组合式主/从双口RAM,DUAL-PORT RAM,独立的1024K位双端口RAM,STAND-ALONE 1024K-BIT DUAL-PORT RAM,COMBINATION MASTER/SLAVE DUAL-PORT RAM,高速64K X 16双端口静态RAM,双端口RAM,1024K(64K X 16)双端口RAM,7028L,IDT7028,7028L20,XXXXXA999AAAA,7028L15PFG8,IDT7028S,7028L20PFGI8,7028L15,7028L15PFG,7028L20PFGI
电子商城
现货市场
服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论