MDD推出MDD100N03D大电流低内阻MOS,TO-252封装,助力电机驱动管理系统新突破


在智能家居和电动工具领域,电机驱动的效率与可靠性直接决定了用户体验。无论是洗地机的强劲动力、扫地机器人的持久续航,还是电动工具的高效作业,都离不开一颗强大的“心脏”——MOSFET。
MOS在电机设备中具有至关重要的作用,主要基于其在控制、效率提升、保护等多方面的独特优势,以驱动电机正常工作,使电机能够输出足够的动力,满足各种工业和民用设备的需求。
面对电机驱动、不间断电源,或是直流/直流转换系统,MDD推出采用先进Trench工艺N沟道MOS——MDD100N03D,采用TO-252封装,30V/100A,以超低导通电阻、极速开关性能为智能设备注入澎湃动力。
01、高效能低损耗
MDD100N03D的最大亮点在于其极低的导通电阻(RDS(on))在VGS=10V、ID=30A的条件下,RDS(on)仅为3.6mΩ,这意味着在电流通过时,能量损耗被降至最低,尤其在高频开关场景中(如直流/直流转换),可显著减少发热,提升系统整体效率。
此外,MDD100N03D还具备极低的反向恢复电荷(Qg),这不仅减少了开关损耗,还进一步优化了系统的动态响应能力。对于需要快速开关的应用场景如电机驱动和电源转换,这一特性尤为重要。
02、100%通过UIS测试
在工业环境中,设备的稳定性和可靠性是重中之重。MDD100N03D经过严格的UIS(非钳位电感开关)测试,确保其在极端条件下仍能保持优异的性能表现。无论是突发的电压波动还是高电流冲击,MDD100N03D都能提供可靠的保护,确保系统长时间稳定运行。
同时,MDD100N03D符合RoHS规范,无铅无卤素设计,满足全球环保法规要求,适用于全球市场的广泛应用。
03、应用领域
电信设备:在基站电源管理中,MDD100N03D的低功耗和高效率特性,能够显著降低能耗,延长设备寿命。
工业自动化:在电机驱动器和PLC控制系统中,MDD100N03D的快速开关能力和高可靠性,确保了设备的高效运行。
不间断电源(UPS):MDD100N03D在UPS中的应用,能够提升电源转换效率,保障关键设备的持续供电。
直流/直流转换系统:在同步整流(SR)和电流开关场景中,MDD100N03D的低反向恢复电荷和低导通电阻,能够显著降低损耗,提升系统效率。
04、选型推荐
除了MDD100N03D,MDD还针对MOS产品线展开了更为全面的布局。现特别推出一系列能够满足不同设计需求的MOS型号。这些产品经过了严格的性能测试与参数校准,以确保在各种复杂应用场景中都能展现卓越性能。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自MDD辰达半导体公众号,原文标题为:新品上市 | MDD推出大电流低内阻MOS,助力电机驱动管理系统新突破,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
CRMICRO功率器件在不间断电源(UPS)上的应用
目前变换电路频率的提高,使得用于滤波的电感、电容以及噪音、体积等大为减少,使UPS效率、动态响应特性和控制精度等大为提高;因此适用高频应用,且低功耗、可靠性强的电力电子开关器件将成为UPS未来核心需求。以在线式UPS为例,PFC部分应用HV-MOS/IGBT+FRD/SiC JBS;DC-DC部分应用LV-MOS;DC-AC部分应用IGBT。
100V/15A的N沟道MOSFET SL9968,开关损耗低、开关速度快,适用于工业自动化开关
SL9968是一款具有100V漏源电压和15A连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其低导通电阻(80mΩ@10V,4A)和较低的阈值电压(2V@250μA)而著称。这些特性使得SL9968成为电源管理系统中理想的功率半导体器件,尤其是在需要高效能和高精度控制的场合,并且适用于多种中压开关和功率控制应用。
60V/300mA的N沟道MOSFET 2N7002E,具有高效、可靠且灵活的电流与电压处理能力
Slkor中压MOS管2N7002E是一款具有60V漏源电压和300mA连续漏极电流的N沟道MOSFET,以其较低的导通电阻(3Ω@10V,500mA)和较低的阈值电压(2.5V@250μA)而著称。此中压MOS管在电源管理中的优势主要体现在其高效、可靠且灵活的电流与电压处理能力上。它能够有效地提高电源管理系统的效率、稳定性和可靠性。
IRF540N/NS 100V N沟道MOSFET
本资料介绍了IRF540N/NS型100V N-Channel MOSFET的特性、规格和应用。该器件具有快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力,适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。
SLKOR - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,IRF540NS,IRF540N,全氟化碳,开关模式电源,功率因素矫正,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,不间断电源,UPS,SMPS,PFC,SWITCH MODE POWER SUPPLY
SXJ7N60D 600V N沟道增强型MOSFET
SXJ7N60D是一款600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET,用于保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压感应瞬态事件的影响。它具有大横截面结,能够传导高瞬态电流,提供快速响应时间和低工作电压等电气特性,适用于不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等应用。
SXSEMI - MOSFET,SXJ7N60D,不间断电源(UPS),功率因数校正 (PFC)
PGD08N055 85V/100A N沟道MOSFET
本资料介绍了型号为PGD08N055的85V/100A N-Channel MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能,适用于工业电源、升压转换器、整流器和电信设备等领域。
金誉半导体 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,PGD08N055,RECTIFIER,TELECOM,整流器,工业电源,电信,BOOST CONVERTERS,蓄电池管理系统,升压转换器,INDUSTRIAL POWER SUPPLIES,BATTERY MANAGEMENT SYSTEM
【选型】MOSFET驱动器IVCR1801SR可兼容MAX5048AAUT,用于工业自动化
在现今国际形势和芯片短缺状况下,工业自动化应用中原先采用国际一线大牌的芯片,为了预防采购问题导致的生产难题,需要准备二供。本文对MOSFET驱动器MAX5048AAUT和瞻芯电子IVCR1801SR做一个参数对比,说明两者兼容,为设计者提供参考。
CFN6R6N101 100V N沟道MOS
该资料详细介绍了CFN6R6N101这款100V N-Channel MOSFET的特性,包括其电气参数、热特性、封装信息以及典型应用场景。产品采用先进的沟槽技术,具有低栅极电荷、优异的CdV/dt效应下降和100% EAS保证等特点,适用于高频点负载同步降压转换器、网络直流-直流电源系统和LCD/LED背光等应用。
创飞芯源 - MOSFET,CFN6R6N101,高频点负载同步降压转换器,LCD/LED背光,网络直流-直流电源系统
不间断电源(UPS)应用简介
本文介绍了不间断电源(UPS)的设计要点,包括高效能量存储和转换的半导体组件选择。文中详细介绍了多种半导体解决方案,如瞬态电压抑制器(TVS)、桥式整流器、功率因数校正整流器、DC/DC转换器整流器、肖特基整流器、MOSFET和齐纳二极管等,旨在优化UPS的性能和效率。文章还提供了相关产品的详细信息和技术参数,以及如何获取样品和文献资料。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 稳压二极管,直流/交流逆变器,DC/DC变换器,肖特基整流器,BRIDGE RECTIFIERS (FULL WAVE),MOSFETS,BATTERY AND CHARGING CIRCUIT,桥式整流器(全波),TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS (TVSS),MOSFETS器件,RECTIFIERS,SCHOTTKY RECTIFIERS,ZENER DIODES,蓄电池和充电电路,DC/DC CONVERTER,DC/AC INVERTER,整流管,瞬态电压抑制器(TVS),CMPDM302PH,CTLSH15-60M364,CMR2S-06,CMSH5-40FL,CSHDD8-60,CTLSH10-45M364,CXDM4060N,CMZ5349B,CBR2-D060S,CBR25-060P,CHD8-06,CXDM4060P,CUD10-06,1.5SMC170CA,3SMC170CA,CMR3S-06,CMR1H-04MFL,CMR5U-06,CMZ5338B,1.5SMC200CA,CBR6M-L060,CMSH3-40FL,CMZ5352B,CWDM3011N,CWDM3011P,CBR8M-L060,CMPDM303NH,不间断电源(UPS),UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
G2N65 600V N沟道MOSFET
本资料介绍了GOFORD公司的G2N65型号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的特性。该器件具有高耐压、大电流承载能力,适用于多种电子设备中的开关控制。
GOFORD - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,G2N65,G2N65J,G2N65K,G2N65F,功率因数校正(PFC),不间断电源(UPS),开关模式电源(SMPS),UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS),POWER FACTOR CORRECTION (PFC),SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)
CFN6R6N101 100V N沟道MOSFET
该资料详细介绍了CFN6R6N101型100V N-Channel MOSFET的产品特性、电气特性、热特性以及封装信息。产品采用先进的沟槽技术,具有超低栅极电荷、优异的CdV/dt效应下降和100% EAS保证等特点,适用于高频点负载同步降压转换器、网络直流-直流电源系统和LCD/LED背光等应用。
创飞芯源 - MOSFET,CFN6R6N101,高频点负载同步降压转换器,LCD/LED背光,网络直流-直流电源系统
【产品】漏源电压700V,连续漏极电流4A的N沟道MOSFET,具有四种封装形式
由无锡紫光微公司推出的TMA4N70HG、TMD4N70HG、TMP4N70HG、TMU4N70HG四款N沟道MOSFET具有快速开关的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。四款产品的主要区别是封装形式的不同,具体封装形式请参照下图。产品主要应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等领域。
SGX104R5T 120A,100V N沟道MOSFET
SGX104R5T是一款采用Hi-Semicon先进沟槽技术的N通道增强型功率MOS场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高ESD能力,广泛应用于不间断电源(UPS)和逆变器系统电力管理等领域。
HI-SEMICON - N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR,SGX104R5T,SGP104R5T,SGA104R5T,反转系统,POWER MANAGEMENT,INVERT SYSTEMS,电源管理,不间断电源,UPS
SXJ50N65T-650V N沟道增强型MOSFET
SXJ50N65T是一款650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET,采用电荷平衡技术,具有极低的导通电阻和栅极电荷性能。适用于需要高功率密度和卓越效率的应用,如不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)。
SXSEMI - MOSFET,SXJ50N65T,不间断电源(UPS),功率因数校正 (PFC)
WST4040 N沟道MOSFET
WST4040是一款高性能的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,适用于大多数同步降压转换器应用。该产品具备低导通电阻和低栅极电荷,适用于高频点负载同步降压转换器、网络直流直流电源系统和负载开关等应用。
WINSOK - N-CH MOSFET,N沟道MOSFET,THE HIGHEST PERFORMANCE TRENCH N-CH MOSFETS,高性能沟槽式N沟道MOSFET,WST4040,高频负载点同步降压变换器,毫巴,LOAD SWITCH,VGA接口,UMPC,同步BUCK变换器,NB公司,UMPC公司,VGA,NETWORKING DC-DC POWER SYSTEM,HIGH FREQUENCY POINT-OF-LOAD SYNCHRONOUS BUCK CONVERTER,SYNCHRONOUS BUCK CONVERTER,NB,MB,联网直流电源系统,负载开关
电子商城
现货市场
服务

可定制电感最大电流100A,尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm,工作频率100KHZ ~ 2MHZ,感值范围:0.15 ~ 100uh;支持大功率电感,扁平线电感,大电流电感,高频电感,汽车电感器,车规电感,一体成型电感等定制。
最小起订量: 5000 提交需求>

可定制变压器支持60W-600W范围,额定电流最高10A,漏感稳定度最小3%;支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论