【产品】100V E型GaN场效应管 INN100W08,具有超高开关频率,超低RDS(ON)

2020-08-09 英诺赛科
E型GaN场效应管,INN100W08,英诺赛科 E型GaN场效应管,INN100W08,英诺赛科 E型GaN场效应管,INN100W08,英诺赛科 E型GaN场效应管,INN100W08,英诺赛科

英诺赛科新推出的 E型GaN场效应管 INN100W08,具有超高开关频率,超低RDS(ON),快速可控的下降和上升时间,零反向恢复损耗等特点,漏源电压(连续)为100 V,工作温度为-40 to 150 ˚C,可应用于高效电源转换,高密度功率转换,电机驱动,工业自动化,DC-DC转换器等领域。


特点

•超高开关频率
•超低RDS(ON)

•快速可控的下降和上升时间
•零反向恢复损耗
•背面保护涂层


应用

•高效电源转换
•高密度功率转换
•电机驱动
•工业自动化
•DC-DC转换器


最大额定值


订购信息



技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由赚钱养太阳翻译自英诺赛科,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【产品】100V E型GaN场效应管 INN100W14,具有超高开关频率

英诺赛科新推出的E型GaN场效应管 INN100W14,具有超高开关频率,零反向恢复损耗,双通道,共源等特点,漏源电压(连续)为100 V,连续电流为7A,工作温度和储存温度为-40 至 150 ˚C,可应用于转换器,激光雷达应用,D类音频,脉冲电源应用等领域。

2020-08-10 -  新产品

【产品】适用于直流电机驱动和DC-DC转换器的碳化硅模块CHT-PLUTO-C1230,规格1200V/30A

CHT-PLUTO-C1230是由CISSOID推出的高温 1200V/30A 碳化硅模块,每一套密封封装中包括一个MOSFET开关和一个肖特基二极管,可以作为异步降压转换器或升压转换器使用。

2022-01-26 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【元件】英诺赛科发布两款新品双向导通芯片INN040W080A/120A,支持双向导通,尺寸1.7mmx1.7mm

英诺赛科INN040W080A、INN040W120A延续 InnoGaN导通电阻低、封装寄生参数小、开关速度快、无反向恢复等诸多特性,在高压侧负载开关,智能手机USB/无线充电端口内置OVP保护,多电源系统中的开关电路等场景中,能更好地体现低阻抗、高效率与高功率密度三大优势。

2023-03-25 -  新产品

英诺赛科(Innoscience)高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表

目录- HV GaN FET    LV GaN FET & Wafer   

型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A

2022/11/15  - 英诺赛科  - 选型指南
July,2020  - 英诺赛科  - 数据手册  - Rev 2.0 查看更多版本

INN100W08 PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

型号- INN100W08

2023/11/13  - 英诺赛科  - CAD模型库

【应用】国产氮化镓INN100W08助力激光雷达发射端ns级别脉冲设计

英诺赛科推出的氮化镓增强型场效应晶体管INN100W08为国产器件,整个晶圆设计和生产都是在国内,产品供应快,超低的Qg,可以实现激光二极管的tw时间在2~5个纳秒级别应用,助力激光雷达发射端ns级别脉冲设计。

2020-08-01 -  应用方案

【应用】国产英诺赛科的增强型氮化镓场效应管INN100W08适用于消费级激光雷达项目,脉冲电流高达50A

客户为了降成本想要一款国产的单管GaN,英诺赛科的INN100W08耐压100V,具有超高开关频率、超低导通电阻、快速可控的下降和上升时间以及零反向恢复损耗等特点,脉冲电流高达50A,适合用于客户的消费级激光雷达项目!

2022-05-10 -  应用方案

【应用】国产GAN场效应管INN100W14用于50×40mm小体积DCDC电源设计,具有零反向恢复损耗

在50×40mm小体积DCDC电源上,推荐英诺赛科的E型GaN场效应管INN100W14,是一颗共源极GaN开关管,其内置两个对称的开关管,INN100W14耐压100V,导阻19mΩ,连续电流7A,脉冲电流可达90A,工作温度和储存温度为-40 至 150℃。

2022-03-08 -  应用方案
Jun, 2020  - 英诺赛科  - 数据手册  - version 1.01

高性能国产GaN FET助力汽车电子系统高功率密度设计

描述- 本文主要介绍了高性能国产GaN FET在汽车电子系统中的应用,特别是其在电动汽车领域的应用机会。文章详细阐述了GaN在Lidar、车载OBC、DC-DC模块等领域的应用优势,并对比了GaN与硅基器件的性能差异。此外,还介绍了英诺赛科作为国内首家量产8英寸硅基氮化镓功率器件的IDM厂商,其产品线、产能、商业模式以及产品计划等内容。

型号- INN100W09,INN100W08,INN650DA02,INN100W03,INN100W01,INN100W12,INN100W02,INN60W01,INN650D01,INN650D02,INN40W01,INN40W03,INN40W02

英诺赛科  - 商品及供应商介绍

高性能国产氮化镓(GaN)应用于无人驾驶及新能源汽车OBC、DC/DC

描述- 氮化镓(GaN)在电动汽车领域的应用前景广阔,尤其在OBC、DC/DC转换器、BMS和牵引逆变器等方面具有显著优势。GaN器件在Lidar、OBC和DC/DC模块中的应用提高了系统效率、减小了体积和重量。英诺赛科作为国内首家量产8英寸硅基氮化镓功率器件的IDM厂商,拥有完整的产业链平台,其产品在可靠性、成本和产能方面具有竞争优势。

型号- INN100W09,INN100W08,INN650DA02,INN100W03,INN100W01,INN100W12,INN100W02,INN60W01,INN650D01,INN650D02,INN40W01,INN40W03,INN40W02

英诺赛科  - 商品及供应商介绍

【应用】英诺赛科氮化镓开关管助力双向AC-DC变换器设计,转换效率达95%

芯仙能源技术推出的这款双向AC-DC变换器具备2000W输出功率,支持整流输出模式和逆变模式,适合用于48V电池系统的储能应用等场合。逆变模块内部采用英诺赛科的氮化镓器件、继电器来自Churod中汇瑞德,线圈电压12V,触点容量50A;通过纳芯微驱动器驱动氮化镓开关管,交流输入和输出保险丝来自华德电子,为WM50系列电力熔断器。

2023-03-04 -  应用方案

【经验】解析DC-DC转换器MC34063升压12V中常见的两种问题及解决方法

本文中芯语将为大家介绍DC-DC转换器MC34063升压12V中常见的两种问题及解决方法。

2023-04-28 -  设计经验 代理服务 技术支持 采购服务

工业DTU如何重塑工业自动化通信格局

在工业物联网(IIoT)的浪潮中,工业DTU作为一种关键的通信设备,正逐渐重塑工业自动化通信的格局。它以其独特的远程数据传输、实时监控和控制功能,为工业自动化领域带来了前所未有的变革。本文是对工业DTU如何影响工业自动化通信格局的详细分析。

2024-12-20 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

现货:17,725

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

现货:33,661

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

现货:5,920

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.7480

现货:4,749

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥9.3000

现货:4,533

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

现货:2,305

品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

现货:2,270

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:936

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

现货:470

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

电子商城

查看更多

暂无此商品

千家代理品牌,百万SKU现货供应/大批量采购订购/报价

服务

查看更多

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

LED数码管定制

可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数,每段亮度0.8~30mcd,主波长470~640nm,电压2~10.2V。

最小起订量: 1000 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面