【产品】100V E型GaN场效应管 INN100W08,具有超高开关频率,超低RDS(ON)
英诺赛科新推出的 E型GaN场效应管 INN100W08,具有超高开关频率,超低RDS(ON),快速可控的下降和上升时间,零反向恢复损耗等特点,漏源电压(连续)为100 V,工作温度为-40 to 150 ˚C,可应用于高效电源转换,高密度功率转换,电机驱动,工业自动化,DC-DC转换器等领域。
特点
•超高开关频率
•超低RDS(ON)
•快速可控的下降和上升时间
•零反向恢复损耗
•背面保护涂层
应用
•高效电源转换
•高密度功率转换
•电机驱动
•工业自动化
•DC-DC转换器
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目录- HV GaN FET LV GaN FET & Wafer
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实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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