【产品】P沟道增强型功率MOSFET RM3401，具有出色的RDS（ON）性能
丽正国际推出的RM3401是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）性能以及极低的栅极电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下运行，适合用作负载开关或PWM应用。在环境温度为25°C时，RM3401漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±12V，漏极连续电流最大额定值为-4.2A，工作时结温和储存温度范围为-55 ~150℃，结到环境的热阻为104℃/W。RM3401采用SOT-23封装，其产品图如图1所示
图1 RM3401产品图
RM3401产品特性
•VDS = -30V,ID = -4.2A
RDS(ON) < 130mΩ @ VGS=-2.5V
RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=-10V
•高功率和大电流处理能力
•无铅产品
•表面贴装
•P / N后缀V表示通过AEC-Q101认证，例如：RM3401V
•无卤素
RM3401产品特性
•PWM应用
•负载开关
•电源管理
RM3401应用领域
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