【产品】不含铅的TXC晶振DR支持CMOS输出，输出频率50MHz~200MHz
晶科鑫推出一款不含铅的TXC晶振DR，符合RoHS标准，支持CMOS输出，输出频率50MHz~200MHz，工作温度可定制，最大供应电流60mA。DR具有牵引范围广、线性度好、卓越的低相位噪声和抖动等特点，可提供三态功能，主要应用于SDH / SONET，以太网，基站。
规格参数:
| 型号 | DR |
| 输出类型 | CMOS |
| 输出负载 | 15pF或定制 |
| 振荡模式 | 基频(Fundamental) |
| 供应电压(Vdd) | 3.3V |
| 频率范围 | 50MHz~200MHz |
| 工作温度 | -10℃~+70℃,-40℃~+85℃,或定制 |
| 存储温度 | -55℃~+125℃ |
| 电压Vol(最大值)/Voh(最小值) | 0.1Vdd/0.9Vdd |
| 上升(Tr)/下降(Tf)时间 | 5nS最大 |
| 供应电流 | 60mA最大 |
| 对称性 | 45~55% |
| 启动时间 | 10mS最大 |
| 绝对牵引范围(APR) | ±50ppm最小,或定制 |
| 标称控制电压 | 0.5Vdd |
| 控制电压范围 | 0~Vdd |
| 线性度 | 10%最大 |
| 相位抖动(12KHz~20MHz) | 1pS最大 |
产品外观尺寸图[单位:mm]:
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