【产品】小封装大功率瞬态电压抑制二极管SE12NMP11GZ,最小击穿电压14.2V,快速响应有效保护

2021-12-16 硕凯电子
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硕凯电子是一家专注于过压过流防护器件的公司,包括有陶瓷气体放电管、玻璃放电管、半导体放电管、瞬态抑制二极管、ESD静电抑制器、压敏电阻、自恢复保险丝、NTC热敏电阻等防护器件。硕凯推出一款专用于电源端口防EOS浪涌冲击的小封装大功率瞬态抑制二极管SE12NMP11GZ,其封装采用的是DFN2020封装,体积非常小,很适合用于消费类电子产品的电源输入端做EOS浪涌冲击防护和ESD静电防护。


EOS是ElectricaloverStress的缩写,指所有的过度的电性应力,过度电性应力是指当外界电流或电压超过器件的最大限制条件时,器件性能降低甚至损坏。在大多的器件失效案例中,电子元器件内部电路与参考地之间存在不同电位之间形成了短路状况,产生过电流而造成元器件损坏。此为大多数电子器件失效的主要因素。ESD中文释为静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。静电是一种客观的自然现象,产生的方式多种,如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其它物体的接触,分离,摩擦或感应等因素,可以产生几千伏甚至上万伏的静电。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害。


硕凯电子推出的瞬态抑制二极管SE12NMP11GZ是专为抑制EOS和ESD量身定制。其断态工作电压为12V;最小击穿电压14.2V,能够快速响应起到保护;漏电流小于500nA,几乎不影响整机的功耗;8/20μs峰值电流达到130A,钳位电压低至33V;典型容值1000pF。


参数如下图所示:

SE12NMP11GZ适合应用于体积较小,对防护等要求较高的电子产品,如蓝牙耳机、录音笔、蓝牙音箱、测温仪、血压仪、充电宝等产品的充电端口。


应用方案如下图:

DC端口防护方案

SE12NMP11GZ可以替代友商型号TPTVS1201D3、LTVS20H12GT5G、PTVS12VU1UPA、TVSS12VU1等。截止2021年12月09号为止,SE12NMP11GZ有现货库存100K左右,欢迎来世强平台询价,索样。

 




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  • 豆芽 Lv8. 研究员 2024-01-22
    学习
  • WilberTse Lv6. 高级专家 2021-12-29
    学习学习!
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I trip(A)
V max(Vdc)
I max(A)
P dtyp.(W)
Current(A)
Time(Sec.)
R min(Ω)
R max(Ω)
SCF005-0603R
Surface Mount Resettable PTCs
0603
0.05A
0.15A
15V
40A
0.5W
0.5A
0.1s
3.8Ω
30Ω

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