【产品】大功率射频GaN晶体管，漏极效率=70％
——增益17dB，漏极效率=70％，采用热增强型的H-36248-2封装
在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术的英飞凌半导体公司，推出了一款效能高、功率密度大、适用于960-1215MHz频段的700W大功率射频GaN晶体管——GTVA107001EC。该晶体管具有高电子迁移率，同比LDMOS功率管，尺寸小，利于功放模块的小型化设计。
GTVAGTVA107001EC无铅符合RoHS标准。在脉冲实验（AB级）中，当供电电压50V，脉冲宽度为128us，占空比为10%时，线性增益达17dB，同时具有70%的高漏极效率。GTVA107001EC具有良好的增益和冷却成本，同时其采用的带螺栓法兰的散热增强型封装，有效的解决了大功率射频功率放大应用中的散热问题，保证了系统的稳定性。
得益于氮化镓（GaN）工艺，GTVA107001EC拥有高漏极效率、优异的耐热性、良好的输入匹配和高击穿电压，可广泛应用在大功率射频放大设计中，尤其适用于960-1215MHz民用航空雷达、航空无线电导航设备中。
GTVA107001EC主要特性：
• 工作频率范围：960-1215MHz
• 700W输出功率
• 工作频带内支持部输入匹配
• 脉冲性能测试（960-1215 MHz，供电电压50 V，脉冲宽度= 128μs，占空比= 10％）
--P3dB输出功率=700W
--漏极效率=70％
--线性增益=17dB
• 无铅符合RoHS标准
GTVA107001EC主要应用：
• 大功率射频放大应用
• 航空雷达
• 航空无线电导航设备
相关技术文档：
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