【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道高级功率MOSFET PTN4080，具有低导通电阻、快速开关等特性
迪浦电子（金誉半导体集团旗下子公司）是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的高科技创新企业。其推出采用PDFN5X6-8L封装的N沟道高级功率MOSFET PTN4080，具有低导通电阻，快速开关等特性。在TC=25℃的条件下，其漏源击穿电压为40V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为80A（VGS=10V）。
特点：
●低导通电阻
●快速开关
●100%雪崩测试
●重复雪崩允许高达Tjmax
绝对最大额定参数：
电气特性：
注：
①脉冲宽度≤300μs；占空比≤2%。
②受Tjmax限制，起始TJ=25℃，L=0.5mH，RG=25Ω，IAS=23A，VGS=10V。不推荐高于此值使用。
③重复额定值；脉冲宽度受最大结温限制。
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金誉半导体（JINYU SEMICONDUCTOR）场效应管/晶体管/二极管/集成电路选型指南
目录- 公司简介Company profile 场效应管MOSFET 双极型晶体管Bipolar Transistors 数字晶体管Digital Transistors 二极管Diodes 集成电路Integrated Circuit 封装参数Packaging parameters
型号- DTC113ZCA,MM3Z5264B,MM3Z5252B,PTU1N60,MM3Z5240B,PTP80N06,MM1Z5234B,MM1Z5246B,SD103AW,MM1Z5258B,BZX84C22,BZX84C20,MM1Z5V6B,PXT2907A,BZX84C27,MM3Z5265B,PT8810,BZX84C24,MMBT4401,PTU*****,PTN80G06,MM3Z5253B,13HN03,MM3Z5241B,MMBT4403,PTF65R380,MM1Z5221B,PTN7530,PTP65R290,MM1Z5245B,MM1Z5257B,BZX84C33,BZX84C30,PT8804,PTD88N07,PTJ*****,SD103BWS,DTA114YCA,MM3Z5266B,LM324S,BZX84C39,MM3Z5254B,BZX84C36,MM1Z6V2B,PTL3107,PTN10HN10,PXT2222A,MM3Z5262B,MM3Z5250B,PTN*****,MM1Z5232B,MBR10200CT,PTD30N02,MM1Z5256B,PTN4294,MM1Z22,DTC143TCA,2SB1132,MM1Z24,PT9926,MM3Z2V2B,PTN13HG04,MMBD4148A,MM1Z27,MM1Z20,PTS4624,PTP10HN08,2SC3356,PTU2N65,MM3Z30B,MM3Z5263B,MM3Z5251B,PTU2N60,PT8205B,PTP4N60,MM1Z18,MM1Z5231B,MM1Z5243B,PT03N06,PTP4N65,MM1Z5267B,PTP10HN06,PTF12N65,BZX84C10,MM1Z11,BZX84C11,MM1Z10,MM3Z3V0B,MM1Z13,MM1Z12,MM1Z15,PTP10N20,MM1Z16,BZX84C18,PTQ*****,SD103AWS,BZX84C16,BZX84C15,BZX84C12,BZX84C13,MMBT5401,MM3Z5260B,DTC143ECA,PTD80P03,PTS4614,MM1Z5230B,MM1Z5242B,MM1Z5254B,PTP10N60,MM1Z5266B,MM3Z2V4B,PTD830,PTD05N20,MM1Z3B0,MM1Z3B3,2SK3018,MM1Z3B6,MM1Z3B9,PTS4842,PTF13N50,PTN6642,MM3Z5261B,LM358,MM1Z5241B,MM1Z5253B,MM1Z5265B,1N4448WS,7808,PTD90N08,7809,PTP90N08,MM1Z5240B,MBR2040CT,PTN10HN04,MM1Z5V1B,SD101AWS,7806,7805,SD103CW,LM324,PTF65R290,MM1Z5252B,7818,MM1Z4V7B,PTQ30P03E,MM3Z3V3B,MM1Z5251B,TL432,7810,TL431,MM1Z2B4,7812,7815,PTD06N15,PTL2106,PTL2107,MM1Z2B7,PTF2N60,PTF2N65,MM1Z5263B,PTD18P10,SD0103WS,PTS4828,LM339,PTC*****,SD103BW,MM1Z3V9B,PTP10N65,MM1Z5250B,MM1Z5262B,BAV70WS,MM3Z2V7B,PTD3006,4558,PTD3005,PTD3004,SD103CWS,PTD3003,DAT143TCA,PTN4559,PTS4936,PTS4813,DTC124ECA,B5819W,LM78L05,LM78L06,MBR30200CT,PT3404,LM78L08,BZX84C9V1,LM78L09,PTP88N07,PT3409,MM1Z5261B,PT3407,PT2319,MM1Z5B1,2N7002K,PT2312,PT3402,PT3401,PT2310,PT3400,MM1Z5B6,PTX*****,MBR20100CT,AMS1117-2.5,PTS4803,BAT54S,PTF8N65,MMBD4148CA,PTP2N60,MMBD4148CC,DTA114ECA,PTP2N65,MM1Z9V1B,PT2305,PT2306,PTU4N60,BAT54C,MM3Z4V3B,BAT54A,MM3Z3V6B,PTU4N65,SD101CWS,PT2301,PT2302,LM393,PT2300,PTP12HN04,PTB*****,PTN3006,PTN3004,C945,PTP12HN06,PTF65R760,PTQ6002,MM3Z5V1B,DAT143ECA,MM1Z4B3,PT2333,MM1Z4B7,PT9926M,AMS1117-1.5,AMS1117-1.8,M1Z24B,DTC114WCA,PT3416,PTD10N20,PT3415,PTZ*****,SD101BWS,S8550,MM3Z3B3,PTE*****,PTN17HG03,MBR30100CT,C847,MM3Z3B0,BZX84C7V5,MM1Z39B,MM1Z15B,MM1Z27B,MM1ZB75,PT4410,PTS9468,MM3Z3V9B,DAT144TCA,MM1Z7B5,PTF65R580,PTF65R460,PTF65R220,PT4407,PTG*****,PTL02N10,MM1Z16B,DTA124ECA,MM3Z4V7B,MBR20200CT,MM3Z3B6,MM3Z3B9,MBR4050CT,PTP14HN10,MM3Z2B4,B5817W,B772,PTF65R200,BZX84C8V2,PTS*****,2SD965,MM3Z6V2B,PT4430,PTD20N06,MM1Z6B2,PT4435,MM1Z6B8,MB40100CT,DTC114YCA,DAT144ECA,MM1Z8V2B,MM1Z7V5B,MM1Z18B,MBR40200CT,PT□*****,MM1Z6V8B,MBR2060CT,MBR10100CT,MM3Z5V6B,MM3Z2B7,PTD20N15,MM3Z5B1,MM1Z3V0,MM1Z3V3,MM1Z3V6,MM1Z3V9,79L05,BZX84C5V6,79L08,79L09,79L06,PTD60N02,PTL03N10,PTD4080,BZX84C5V1,MM1ZB30,MM1ZB33,MM1Z11B,PTD60N06,AMS1117-ADJ,MM1ZB36,MM1ZB39,MM1Z9B1,PTL*****,DTA143XCA,DTC114TCA,PTQ7403,PTA*****,MM1Z24B,MM1Z36B,MM1ZB43,MM1Z12B,MM1ZB47,MM3Z5B6,PTS20G06,MM3Z4B3,MM1Z2V2,MM1Z2V4,PTF18N50,MM1Z2V7,MBR16C45,BZX84C6V8,PTH*****,PTL02N20,MM1ZB51,BZX84C6V2,PTF630,MM1Z13B,MBR40150CT,MBR1060CT,MM1ZB56,PTL04P06,MM1Z8B2,PTP50N06,79L12,AMS1117-5.0,D882,MM1ZB62,PTF640,PTW*****,MM1ZB68,A42,MM3Z4B7,A44,MM3Z7V5B,MM3ZB75,MM3Z8V2B,PTF7N65,1N4148W,MM1Z5V1,MM3Z39B,C1815,MM3Z15B,LM79L12,MM3Z27B,PTF7N60,MMBT3904,MM1Z5V6,PTP*****,MMBT3906,BZX84C3V9,BZX84C3V6,MM3Z5229B,BAT54,MBR1040CT,BZX84C3V3,BZX84C3V0,PTS4294,MM3Z6V8B,PTN15HG03,PTQ3006,1SS187,MM3Z16B,1SS181,LM79L05,LM79L06,LM79L08,LM79L09,PTD4N60,PTD4N65,MM1Z20B,PTD*****,PTD25P04,MM3Z7B5,MM3Z6B2,PTP65R760,MM3Z9V1B,PTS6218,MM1Z4V3,AMS1117-1.,BAV21WS,PTD12N15,S8050,MM1Z4V7,BZX84C4V7,BAV70,PTD12N10,MMBD4148,BZX84C4V3,PTY88N07,MM1Z33B,MM1ZB11,BAV20W,PTS6213,BAS16,MM1ZB10,PT1ZN50,MM1ZB13,MM1ZB12,MM1ZB15,PT4953,MM3Z5239B,MM3Z5227B,MM1ZB16,S9013,S9014,DTA114TCA,MM1ZB18,S9015,PTS6205,AMS1117-3.3,S9012,MM3Z18B,LM78L12,MBR16C20,PTY10HN08,BAS21,SS8550,MM1ZB20,DTC114ECA,MM1ZB22,MM1Z22B,MM3Z6B8,BAV21W,MM1ZB24,MM1Z10B,RB551V-30,MM3Z5228B,S9018,MM1ZB27,PTD12HN06,PTP830,PTD80N06,MM3ZB36,MM3ZB30,MBR20150CT,MM3Z11B,MM3ZB33,PTP65R220,PTP65R580,PTP7N65,PTP65R460,PTD70P04,PTK*****,MM1Z7V5,DTA123YCA,PTL6205,BC848,A92,MM1Z2V7B,A94,PTD4485,MM3ZB27,MM3Z5249B,MM3Z5237B,MM3Z5225B,PTP840,MM1Z5229B,MMBTA42,MM3ZB47,MM3Z24B,MM3Z36B,PTS9926B,MM3Z12B,MM3ZB43,PTM*****,PTD15N10,BC857,BC856,BC858,MM3Z9B1,MM3ZB39,MM3Z5238B,MM3Z5226B,MM1Z75,MM1Z3V3B,2N7002,MM3ZB56,MM1Z5228B,MM3Z13B,PTP65R200,MM1Z6V2,MM3ZB51,PTP12N60,MM1Z6V8,PTL03N1 OA,BZX84C2V7,BZX84C2V4,MM3Z5235B,MM3Z5223B,BZX84C2V2,BAS16WS,BZX84C2V0,DTA123JCA,MM1Z3V6B,DTC143XCA,MMBD4148SE,MM1Z4V3B,MM3Z5259B,MM3Z5247B,MM3ZB68,PTS4107,MM1Z5227B,MM1Z5239B,PTD1N60,MM3ZB62,3T8205AA,PTD50N06,PTY15HG10,PTD40P03,PTP7N60,MM3Z5224B,PT4953B,MMBT5551,MM3Z8B2,MM1Z30B,MM3Z5248B,PTT*****,MM3Z5236B,PTP13N50,BAV19W,MMBTA94,MMBTA92,PTP65R380,MM1Z9V1,PTP10HN10,PT*****,78M12,PTY12HN06,PTP10HN15,PTP630,MM1Z5226B,PTD13HN03,MM1Z43,PTN4080,MM1Z47,1N4448W,PTF730,MM3Z5257B,MBR0520,MM3Z5245B,MM1Z3V0B,MM3Z5233B,MM3Z5221B,PTD60P03,PTS4210,MM3Z20B,MM1Z5249B,
金誉半导体场效应管MOSFET选型表
金誉半导体提供包括中低压MOSFET（VDSS:20V~150V）和高压MOSFET（VDSS：500V~900V）选型;金誉拥有自主晶圆设计能力，多种外形封装，中低压MOSFET12英寸 、8英寸，高压MOSFET6英寸；中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺，高压MOSFET采用平面工艺；超低内阻的芯片设计。
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产品型号
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品类
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VDS
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ID
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工作温度
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等级
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封装形式
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最小包装
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最小订货量
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PT2302A
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场效应管
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20V
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3A
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-55℃~+150℃
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商业级
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SOT-23
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3000
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3000
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选型表 - 金誉半导体 立即选型
PTP12HG08 85V/120A N沟道高级功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PTP12HG08型号的85V/120A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性，包括其电气参数、应用领域、封装信息以及典型特性曲线等。
型号- PTP12HG08
PTD3080 30V/80A N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了PTD3080这款30V/80A N-Channel高级功率MOSFET的特性。该器件具有改进的dv/dt能力和高鲁棒性，适用于高压侧负载开关、电池开关等应用。
型号- PTD3080
PGD10N080 100V/80A N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了PGD10N080这款100V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性，包括其静态和动态电气特性、开关特性、源漏二极管特性等，并提供了典型应用场景下的性能参数和测试波形。
型号- PGD10N080
PGT04N013 40V/180A N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了JinYu公司生产的40V/180A N-Channel Advanced Power MOSFET，型号为PGT04N013。该产品具备快速开关能力、良好的EAS性能和EMI改进，适用于服务器、电信、高功率电源、电机驱动和BMS等领域。
型号- PGT04N013
PTN3004 30V/50A N沟道高级功率MOSFET
描述- PTN3004是一款30V/50A的N通道高级功率MOSFET，具有改进的dv/dt能力和高鲁棒性。该产品适用于高侧负载开关、电池开关，并优化用于便携式产品的电源管理应用，如航模、移动电源、无刷电机、主板等。
型号- PTN3004
PGP10N080 100V/80A N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了一种100V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET，型号为PGP10N080。该器件具有快速开关、低RDS(on)和低门极电荷等特点，适用于高频开关和同步整流等应用。
型号- PGP10N080
PT8810 20V/7A N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了PT8810这款20V/7A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术，具有优异的导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- PT8810
PTN3080 30V/80A N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了PTN3080这款30V/80A N-Channel先进功率MOSFET的特性。该器件具有改进的dv/dt能力和高鲁棒性，适用于高压侧负载开关、电池开关等应用。
型号- PTN3080
PTN4080 40V/80A N沟道高级功率MOSFET
描述- PTN4080是一款40V/80A的N-Channel高级功率MOSFET，具有改进的dv/dt能力和高鲁棒性。该产品适用于高侧负载开关、电池开关等，优化用于便携式产品的电源管理应用。
型号- PTN4080
PTD3090 30V/90A N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了PTD3090这款30V/90A N-Channel高级功率MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关特性，适用于负载切换、PWM应用和电源管理等领域。
型号- PTD3090
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布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制，最小晶粒高度：0.3 mm； 最小横截面：0.2 mm； 最小节距：0.15 mm；能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。
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