【产品】面向扩增实景和全自动驾驶汽车应用的高分辨率eGaN FET
宜普电源转换公司宣布推出EPC2040功率晶体管,它是一种超小型、具备快速开关性能的氮化镓功率晶体管,面向高速终端应用,可实现优越的分辨率、更快速的响应时间及更高准确度。此外,由于在整个工作温度范围内,器件具有高准确度门限,因此当镭射受热,可确保系统的稳定性。例如该晶体管在LiDAR 技术所采用的脉冲式镭射驱动器是理想的器件。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的导航系统及扩增实景平台的重要技术。EPC2040的优越性能在这些系统中可以实现更高准确度及分辨率。
EPC2040eGaN FET的栅极门限具有低温度系数,可提高终端系统的性能。这个器件的特性稳定,从而在整个工作温度的范围内,可实现更低的镭射二极管功率及使得系统操作畅顺。
在扩增实景系统采用氮化镓场效应晶体管的优势包括因具备更短脉宽而使得镭射二极管的热度更低、因镭射二极管驱动器具有低热度而高效、小型的eGaN FET使得系统更小型,以及在整个工作温度范围内操作稳定的EPC2040使得系统操作畅顺。
宜普公司的策略技术销售副总裁Steve Colino称:「EPC2040专为要求具备高频及短脉冲功能的应用而设。这些要求在提高LiDAR技术的分辨率方面至关重要。LiDAR技术是全自动驾驶汽车的避免碰撞系统及导航系统的重点技术。 」
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由扑通扑通转载自EPC,原文标题为:宜普电源转换公司(EPC)推出面向扩增实景和全自动驾驶汽车应用 的全新eGaN FET,实现极高的分辨率,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】超小封装尺寸氮化镓功率晶体管(4.1mm×1.6mm),栅极电荷QG典型值仅8.7nC
EPC推出的EPC2015C增强型功率晶体管属于氮化镓(eGaN)器件,与传统器件相比,它具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。EPC2015C可应用在工业自动化,同步整流,D类音频放大器等领域。EPC EPC2015C氮化镓功率晶体管属于绿色环保产品,无铅,无卤素,符合RoHS标准;其采用超小封装尺寸,仅4.1mm×1.6mm;操作温度和存储温度均为-40℃~150℃。
【产品】面向车载应用的增强型氮化镓功率晶体管EPC2206,漏源连续电压最大值80V
EPC推出EPC2206是面向车载应用的增强型氮化镓功率晶体管,通过AEC-Q101认证,具有超高效率,非常低的漏源通态电阻,极低的控制极电荷,零反向恢复损耗以及占板面积小等优点。
【产品】军品级半桥拓扑氮化镓功率晶体管,漏源连续电压高达100V
宜普电源转换公司(EPC)的EPC2104为单片式半桥增强型功率晶体管为氮化镓(eGaN)器件,与传统器件相比,它有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流以及卓越的热性能。它的漏源连续电压高达100V,支持较高电压电路,可以胜任苛刻的应用环境,可应用在高频DC-DC转换,马达驱动器等领域。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
【应用】EPC氮化镓功率晶体管助力DTOF激光雷达设计,具有低温度系数,导通电阻低至50mΩ
在某家DTOF激光雷达的产品设计中,需要一款氮化镓用于激光驱动开关。本项目的激光雷达是用于扫地机器人上的,项目要求Vbus为30V,Ipeak为30A,Frequency为10MHz,本文推荐一款EPC的氮化镓晶体管EPC2019。
增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC9186,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9051,EPC9172,EPC7007,EPC2034C,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC7003,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC9156,EPC21603,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
高频24v-to-1v DC-DC转换器使用EPC的氮化镓(galliumnitrin)功率晶体管
描述- 本文介绍了使用EPC的氮化镓(GaN)功率晶体管设计的转换器与传统硅基功率MOSFET相比的优势。EPC的GaN晶体管是新一代功率开关,在速度、开关和静态损耗(Rdson)方面提供了无与伦比的性能,同时具有优异的热特性。文章详细讨论了GaN晶体管在24V至1V直流直流转换器中的应用,包括其高开关速度、低静态和开关损耗、小型化设计以及易于集成的特点。通过实际案例和图表,展示了GaN晶体管在提高系统效率和性能方面的优势。
型号- EPC1014
EPC氮化镓功率晶体管用于EET新型SolMate®绿色太阳能阳台产品,效率倍增,延长使用寿命
Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奥地利,是设计和生产创新、用于阳台的小型发电厂的先驱。EET公司选用了宜普电源转换公司(EPC)的增强型氮化镓(eGaN®)功率晶体管(EPC2204), 用于其新型SolMate®绿色太阳能阳台产品。
EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
【应用】新型氮化镓功率晶体管助力实现可无线充电智能鞋设计
通过无线充电技术的应用,智能鞋在使用中,可以做到全封闭防水并能免去更换电池的烦恼。而在现实使用中,如果采用了不恰当的功率器件或采用了普通的充电技术,因为鞋底存在一定厚度(一般约10mm)的原因,会导致可充电距离近、不易操作的麻烦,那么,该如何解决该问题呢? 氮化镓EPC2036以其高速度、高功率密度、充电距离远、易开发等特性,非常适合应用在可无线充电的智能鞋中。
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
|
品类
|
最大耐压(V)
|
持续电流(A)
|
导通阻抗(mΩ)
|
导通电荷(nC)
|
峰值电流(A)
|
封装(mm)
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
15V
|
3.4A
|
30mΩ
|
0.745nC
|
28A
|
BGA 0.85 mm*1.2mm
|
选型表 - EPC 立即选型
HMN9N65Q 650V氮化镓功率晶体管(FET)
描述- 本文档介绍了HMN9N65Q GaN功率晶体管(场效应晶体管)的特性、应用和设计考虑。该器件具有高效率、低开关损耗,适用于高频电源转换器,如USB PD适配器和消费电子产品。
型号- HMN9N65Q
EPC2100–增强型氮化镓功率晶体管半桥V-DS,30 V R-DS(ON),8.2 mΩ(Q1),2.1 mΩ(Q2)I-D,10A(Q1),40A(Q2)规格书
描述- 本资料介绍了EPC2100增强型氮化镓功率晶体管半桥模块。该器件采用氮化镓技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高频率操作能力和高效能转换等特点。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、热特性和典型应用电路等方面的详细信息。
型号- EPC2100
EPC2107–增强型氮化镓功率晶体管半桥,集成同步自举V-DS、100V R-DS(ON)、390 mΩi-D、1.7A规格书
描述- 本资料介绍了EPC2107增强型氮化镓功率晶体管半桥模块,具有集成同步自举功能。该器件采用高电子迁移率和低温度系数的氮化镓材料,实现极低的导通电阻(RDS(on)),并具备优异的热性能和开关频率特性。
型号- EPC2107
氮化镓功率晶体管和电源管理器件ISO 9001:2015(DNV)管理体系证书(102650-2011-AQ-USA-ANAB)
描述- Efficient Power Conversion Corporation的管理体系已通过ISO 9001:2015质量管理体系标准认证,认证范围包括氮化镓功率晶体管和功率管理器件的设计、开发、营销和销售。证书有效期为2023年9月9日至2026年9月8日,由DNV - Business Assurance于2023年8月1日颁发。
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.9251
现货: 2,357
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥10.5122
现货: 1,620
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.4342
现货: 485
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.9121
现货: 465
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.2431
现货: 401
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.6254
现货: 337
服务
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>
提供电子电气产品的辐射骚扰测试、辐射抗干扰测试,以及RFID,SRD,2G,3G,4G等无线产品的辐射骚扰测试、辐射杂散测试、辐射功率测试以及辐射抗干扰测试。测试频率可覆盖9KHz-26.5GHz。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论