【经验】三极管BJT与场效应管FET的区别
三极管BJT与场效应管FET的区别很多，实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制，MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。本文杜因特为工程师分享三极管BJT与场效应管FET的区别：
1、三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是垮导gm；
2、驱动能力：MOS管常用电源开关管，以及大电流地方开关电路；
3、成本问题：三极管便宜，MOS贵；
4、BJT线性较差，FET线性较好；
5、BJT噪声较大，FET噪声较小；
6、BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型，所以FET选型和使用都比较复杂；
7、功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流；
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
杜因特MOS管选型表
杜因特提供MOSFET管的以下参数选型，VDSS(V)：-200~900，ID(A)25℃：-140~500，多种封装TO-252，TO-220S，TO-220R，TO-247S等。
|
产品型号
|
品类
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Package
|
Technology
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Schottky
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N/P
|
VDSS(V)
|
ID(A)25℃
|
RDS(ON)(MΩ)4.5V(TYP)
|
RDS(ON)(MΩ)4.5V(MAX)
|
RDS(ON)(MΩ)2.5(TYP)
|
RDS(ON)(MΩ)2.5V(MAX)
|
VGS(V)(MAX)
|
VGS(TH)(V)L
|
VGS(TH)(V)H
|
Ciss(pF)(TYP)
|
Qg nC(TYP)
|
@VGS(V)
|
|
DB006NG-B
|
MOSFET
|
TO-252
|
Trench
|
N
|
N
|
20
|
60
|
4.5
|
6
|
7
|
10
|
12
|
0.5
|
1
|
1820
|
25
|
4.5
|
选型表 - 杜因特 立即选型
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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