【产品】高压P沟道功率MOSFET器件CHT-PMOS30xx，工作温度高达+250℃

时间： 2022-04-01 来源：CISSOID

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P沟道功率MOSFET,CHT-PMOS3002,CHT-PMOS3004,CHT-PMOS3008

CISSOID是比利时一家专注高温半导体及电力电子技术的IC设计公司，其推出的高压P沟道功率MOSFET器件CHT-PMOS30xx，包括CHT-PMOS3002、CHT-PMOS3004和CHT-PMOS3008。该系列产品采用TO254封装，可在极宽的温度范围内实现高性能，典型工作温度为-55℃~+225℃，漏极电压达到30V，栅源电压为+0.5V~-5.5V，产品等效电路图如下。

产品特征

• 工作温度：-55℃ ~+225℃(Tj)

• 工作温度高达+250℃ (Tj)

• 漏极电压高达30V

• 典型输出电流

CHT-PMOS3002：2A @ 225℃

CHT-PMOS3004：4A @ 225℃

CHT-PMOS3008：8A @ 225℃

• R_DSon

CHT-PMOS3002：3.9Ω@ 225℃

CHT-PMOS3004：2Ω@ 225℃

CHT-PMOS3008：1Ω@ 225℃

• V_GS=+0.5V~-5.5V

• 栅源之间的反向ESD二极管

• 提供TO254封装

产品应用

• 航空航天

• 工业

• 测井

• 汽车

绝对最大额定值

工作条件

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