Alliance Memory Launched High-Density, Low-Power 32M CMOS SRAM Offering 2.7V to 3.6V Power Supply in 12mm by 20mm TSOP-I Package

时间： 2023-09-04 来源：ALLIANCE News

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SAN CARLOS, Calif. — May 1, 2013 — ALLIANCE Memory expanded its line of legacy low-power CMOS SRAMs with a 32M IC (2M x 16 / 4M x 8 switchable), the company’s highest-density low-power device to date. Operating from a single power supply of 2.7V to 3.6V and offering a fast access time of 55 ns, the AS6C3216 is optimized for low-power industrial, telecom, medical, and automotive applications, and it is particularly well-suited for battery backup non-volatile memory.

The device released today is offered in the 48-pin, 12-mm by 20-mm TSOP-I package. The AS6C3216 features low power consumption with a typical operating current of 45mA and a standby current of 10µA. All inputs and outputs are fully TTL-compatible.

The AS6C3216 is fabricated using very high-performance, high-reliability CMOS technology, and its current is stable within the operating temperature range of – 40℃ to + 85℃. The device offers fully static operation and tri-state output, and it features a data retention voltage of 1.2 V minimum.

Alliance Memory’s legacy ICs provide reliable drop-in, pin-for-pin-compatible replacements for a number of similar solutions. The AS6C3216 is the latest in the company’s full range of low-power SRAM products, which include devices with densities of 64K, 256K, 1M, 2M, 4M, 8M, 16M, and now, 32M.

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2023-09-03 - 产品代理服务技术支持采购服务

ALLIANCE 存储器选型表

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产品型号	品类	Product Family	DENSITY	ORGANISATION	VCC(V)	TEMPERATURE RANGE(°C)	PACKAGE	MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN	存储器	FAST-Asynch	64K Fast	8K x 8	5V	Commercial (0 ~ 70°C)	28pin SOJ(300mil)	3

选型表 - ALLIANCE 立即选型

【产品】工作电流仅12mA的32M CMOS SRAM，专为低功耗应用

AS6C3216A-55TIN输入和输出均兼容TTL，SL版本的待机电流典型值仅为8μA。

2017-06-20 - 新产品代理服务技术支持采购服务

AS7C256C 32K X 8位高速CMOS SRAM

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10/15/2021 - 数据手册 - Rev 1.3 代理服务技术支持采购服务

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AS6C8016 512K X 16位超低功耗CMOS SRAM数据表

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ALLIANCE - 512K X 16 BIT SUPER LOW POWER CMOS SRAM,512K X 16位超低功耗CMOS SRAM,AS6C8016-55,AS6C8016-55ZIN,AS6C8016 -55BIN,AS6C8016-55BIN,AS6C8016 -55ZIN,AS6C8016,BATTERY BACK-UP NONVOLATILE MEMORY APPLICATION,LOW POWER APPLICATION,低功耗应用,电池备份非易失性存储器应用

NOVEMBER/2007 - 数据手册 - V 1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】2048K×8bits的AS7C316096C高速CMOS SRAM，数据快速存取响应时间为10ns

AS7C316096C是由Alliance推出的一个经典款高速CMOS静态随机存取存储器（即SRAM），其结构为2048K×8bits，总容量可达到16Mb。该产品使用了高性能、高可靠性的CMOS技术设计生产。其大容量的特性，可作为许多高速微处理器的主缓存使用，如高速家用电脑的CPU主缓存。

2018-11-12 - 新产品代理服务技术支持采购服务

AS6C1608B-45TIN 16M SRAM 44L TSOP II（400mil）可靠性测试报告

本报告概述了低功耗2Mx8 CMOS SRAM的可靠性测试条件和结果。报告内容包括产品信息、寿命测试、环境测试、ESD测试、闩锁测试和可焊性测试。测试结果显示，该产品在高温操作寿命、温度循环、热冲击、压力锅、高加速应力、高温存储和电应力等方面均表现出良好的可靠性。

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2023.09.05 - 测试报告 - Rev : A 代理服务技术支持采购服务

【产品】微瓦级待机功率的AS6C8016A SRAM芯片，采用全CMOS工艺技术生产，总容量达8Mb

AS6C8016A是由美国Alliance Memory公司推出的经典款静态随机存取存储器，该产品选用44引脚的TSOP2芯片级封装，容量达到了512K×16bit，可作为强大微处理器的主缓存使用。作为SRAM最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，继续保存已经存储在芯片中的数据。相比DRAM的优点在于不需要刷新电路就能保存内部存储的数据，而且更为快速、低功耗。

2018-11-06 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】4M低功率CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，存取速度可达55ns

AS6C4008A系列是Alliance Memory推出的一款4M（512K × 8bit）存储容量的低功率CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该款低功率CMOS静态随机存取存储器芯片采用高性能、高可靠性的CMOS技术制成，具有低功耗、高可靠性等特性，适合低功耗系统应用，尤其适用于电池供电的非易失性存储。

2018-08-13 - 新产品代理服务技术支持采购服务