Central Semiconductor提供小信号晶体管、桥式整流器等多种器件用于PoE受电设备

时间： 2021-12-10 来源：Central Semiconductor

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有源以太网(PoE)市场的出现推动了外围受电设备(PD)的快速增长，例如相机、电话和网络接入点。这些应用中的每一个都有独特的尺寸和性能要求。Central Semiconductor开发了多种器件，包括肖特基桥式整流器，它们最适合这些应用所需的尺寸和电气规格。

PoE技术

适用于PoE受电设备（PD）的产品：

小信号晶体管：

• CMUT3410：1.0A, 25V 低VCE(SAT) NPN (SOT-523)

• CMUT7410：1.0A, 25V 低VCE(SAT) PNP (SOT-523)

• CMLT3410：1.0A, 25V 低VCE(SAT)双路, NPN (SOT-563)

• CMLT7410：1.0A, 25V 低VCE(SAT)双路, PNP (SOT-563)

桥式整流器（全波）：

• CBRHD-01: 0.5A, 100V (HD DIP)

• CBRHD-02: 0.5A, 200V (HD DIP)

• CBR1-D020S: 1.0A, 200V (SMDIP)

MOSFETs

• CEDM7001: 100mA, 20V N沟道(SOT-883L)

• CEDM8001: 100mA, 20V P沟道(SOT-883L)

• CEDM8004: 450mA, 30V P沟道(SOT-883L)

• CMLDM7002A: 280mA, 60V 双路, N沟道(SOT-563)

• CMLDM8002A: 280mA, 50V 双路, P沟道(SOT-563)

• CMNDM7001: 100mA, 20V N沟道(SOT-953)

• CMNDM8001: 100mA, 20V P沟道(SOT-953)

肖特基二极管

• CMLSH05-4: 0.5A, 40V 低VF (SOT-563)

• CMLSH1-40: 1.0A, 40V (SOT-563)

• CMSH2-100M: 2.0A, 100V (SMA)

• CMASH-4: 200mA, 40V (SOD-923)

• CMSH1-100: 1.0A, 100V (SMB)

• CTLSH01-30: 100mA, 30V 低漏电流 (TLM2D3D6)

• CTLSH01-30L: 100mA, 30V 低V_F (TLM2D3D6)

• CFSH01-30: 100mA, 30V (SOD-882L)

肖特基桥式整流器

• CBRHDSH1-100: 1.0A, 100V (HD DIP)

• CBRHDSH2-100: 2.0A, 100V (HD DIP)

• CBRDFSH1-40: 1.0A, 40V (BR DFN)

• CBRDFSH1-60: 1.0A, 60V (BR DFN)

• CBRDFSH1-100: 1.0A, 100V (BR DFN)

• CBRDFSH2-40: 2.0A, 40V (BR DFN)

• CBRDFSH2-60: 2.0A, 60V (BR DFN)

• CBRDFSH2-100: 2.0A, 100V (BR DFN)

• CBRDFSH3-40: 3.0A, 40V (BR DFN)

• CBRDFSH3-60: 3.0A, 60V (BR DFN)

开关二极管

• CMHD4448: 250mA, 100V (SOD-123)

• CMOD4448: 250mA, 100V (SOD-523)

• CMLD4448DOG: 250mA, 120V 双路,反向 (SOD-523)

单极瞬态电压抑制器

• CMF90A: 200W, 90V (SOD-123F)

双向瞬态电压抑制器

• 1SMB90CA: 600W, 90V (SMB)

TVS/齐纳阵列

• CMNTVS12V: 18W, 12V 低电容(SOT-953)

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