【经验】一文教你解决IGBT驱动光耦驱动IGBT模块时出现的IGBT驱动震荡问题

2018-07-25 世强
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在我们的项目设计IGBT驱动过程中经常会发生驱动震荡问题,驱动波形出现大幅度震荡,工程师调试很长时间也解决不了,本文就驱动震荡问题跟大家分享一些项目经验。 


近期在一个项目中遇到过驱动震荡问题,IGBT驱动光耦选用RENESAS PS9402驱动VINCOTECH IGBT PIM模块V23990-P546-A28-PM,带负载调试时驱动出现震荡,波形图如下:


 图1   IGBT开启驱动震荡波形


之前项目选用负压关断,现受限于PCB面积改为0电压关断。采用0V关断可能面临寄生开通问题。


                     

 图2 Vce分别为0V和-9V寄生开通的对比


这种现象通常出现在IGBT半桥拓扑中,以下两种情况都可能导致IGBT误导通:

1、米勒电容效应导致寄生导通,产生的原因在于集电极和发射极之间的电压变化率dVce/dt;

 米勒电容产生的dv/dt产生的电流通过内部栅极电阻、外部栅极电阻和驱动内部电阻形成栅极电压,高于IGBT开通阈值电压就会产生寄生导通。时间比较短,大概在10-100ns,不会造成IGBT直通。

2、发射极的杂散电感也会引起寄生开通,产生的原因在于负载电流的变化率dIL/dt。

通常我们可以通过比较IGBT分别以0V和-8V电压关断的实验结果来确定是否发生了寄生导通。   


项目情况解决及分析:

1、比较IGBT分别以0V和-8V电压关断的波形现象,确定发生了寄生导通;

2、考虑到米勒电容影响,可以增加Cge栅极电容串联小电阻来抑制或衰减不需要的震荡。但由于增加Cge电容到几百pF才起效果,严重增大IGBT开通损耗,此措施不合理。

3、考虑发射极杂散电感影响,可以增大外部栅极电阻来减缓IGBT开通,从而降低dI/dt,这也会增加IGBT导通损耗,需要从整体评估损耗,IGBT温升情况是否在可接受范围。驱动电阻由原来10Ω增大至33Ω,有效减小驱动震荡。

4、通常共发射极的PIM模块,需要特别注意寄生电感引起的寄生开通现象。在这些模块了,输出桥臂下管IGBT的发射极并联在一起并由一个或两个公共引脚引出来。当其中一个IGBT开关时,会通过公共的发射极及其中的杂散电感来影响其他IGBT。对于诸如此类的拓扑,只能通过增大栅极电阻或额外的Vge电容来减缓IGBT开通,而更改外围电路无法避免这种影响。


通过上面介绍,相信大家对IGBT出现驱动震荡时怎么去分析有了比较清晰认识。驱动震荡涉及因素较大,需要在实际项目中多分析,从波形入手分析才能从根本上找到原因。


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  • Roonie Lv7. 资深专家 2019-07-08
    不错,学习了
  • ListenDM Lv4. 资深工程师 2019-01-24
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产品型号
品类
产品状态
拓扑
电压(V)
电流(A)
模块高度 (mm)
晶圆工艺
封装
10-0B06PPA004RC-L022A09
SiC功率模块
Series production
PIM+PFC(CIP)
600V
4A
17mm
IGBT RC
flow 0B

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