【经验】基于SiC MOSFET设计的ANPC电路,其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析

2019-04-29 Vincotech
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VINCOTECH 碳化硅(SiC) MOSFET能够满足1500V太阳能逆变器的高开关速度、高系统效率要求,可实现高集成度和高功率密度,但在开关性能方面仍有不足之处。本文基于SiC MOSFET设计的ANPC电路,介绍其低侧MOSFET的双脉冲测试结果及原因分析。

 

1、有源中点箝位型太阳能逆变器

图1展示了有源中点箝位(ANPC)电路,包含4个电网频率同步的IGBT(T1-T4)和它们的反并联二极管(D1-D4),以及两个高速MOSFET(T5和T6),该电路的目标应用是一个具有高开关频率(高达64kHz)、高效率的1500V组串型逆变器。除前述组件外,图1中还有两个与直流母线连接的电容(CDC1和CDC2)、一个扼流线圈LAC,电路的输出是单相输出。

 

图1     有源中点箝位(ANPC)电路图

 

基于图1所示的电路,在双脉冲测试平台上对SiC MOSFET的开关性能进行研究,双脉冲测试平台的低电感驱动电路,能够提供正、负栅极驱动电流。利用双脉冲测试平台采集图1中低侧MOSFET  T6的开关波形和开关能量,首先使T6导通一段时间以建立起电流,然后再使其关断一小段时间,让电流在高侧MOSFET T5的体二极管中完全换向。接着又重新导通T6,同时完成对MOSFET及二极管的开关波形和开关能量的测量。

 

2、双脉冲测试结果

从T6的导通波形(图2)可以看到漏极电流有一个尖峰,随后又出现了漏极电流振铃和栅极电压振铃,这代表在高侧MOSFET T5上发生了寄生导通,这种现象又称为交叉导通或直通。

 

图2     低侧SiC MOSFET的导通波形(Udc=600V,Ids=140A,Tj=150℃,Vg=-5/16V)

 

3、发生寄生导通/交叉导通/直通的根本原因

在T6导通前,电流由T5的体二极管续流;在T6导通期间,电流换向至低侧通道(如图3所示),从而导致二极管进入阻断状态,中点电压以高dV/dt从DC+变化为0V。

 

图3    硬开关ANPC的电流路径

 

如图4所示,SiC MOSFET的栅极和漏极间存在米勒电容Cgd,栅极和源极间存在米勒电容Cgs,漏极和源极间存在米勒电容Cds。Cds上的电压以高dV/dt增大,然后电流流过CgdCgs,Cgs上的电压随之升高,若该电压达到导通阈值,MOSFET就会导通。

 

图4      SiC MOSFET内部的米勒电容和栅极电阻

 

这次导通使低侧MOSFET的漏极出现了电流尖峰(如图2所示),也产生了较高的开关能量。工作结温限制了MOSFET的最大容许功耗,也就意味着高开关能量限制了最大的开关频率。

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型号- 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产品    发布时间 : 2023-12-01

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描述- 本方案基于 1500VDC 系统,提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块,内置全 SiC MOS 和二极管,以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构,耐压高达 2400V,在满足1500V 系统耐压需求的基础上,采用了低耐压的 IGBT,实现了较高的开关频率,有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。

型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

优选器件方案  -  WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS  - V1.1 PDF 中文 下载

【选型】充电桩DC-DC转换电路拓扑结构该如何选择?

在充电桩应用中,DC-DC转换电路拓扑结构到底应该采用三电平LLC串联谐振全桥?还是采用二电平LLC串联谐振全桥?本文带你探秘。用于DC-DC转换的功率开关器件主要有IGBT,Cool MOS和SIC MOSFET等,它们各有优缺点。Vincotech公司目前推出了基于INFINEON第五代高速H5的IGBT功率模块,其比基于INFINEON第三代高速H3的IGBT功率模块,性能有明显的提高。

器件选型    发布时间 : 2016-05-14

Vincotech’s 70A flowPACK 1 SiC Modules Featuring Ultra-fast 900V SiC MOSFET for up to 400kHz switching frequency

The Vincotech flowPACK 1 SiC is faster than 1200 V SiC MOSFETs, safer than 650 V MOSFETs, and perfect for charging stations that require soft-switching for LLC topology. This 3xhalf-bridge achieves the efficiency you need at nominal and partial loads.

产品    发布时间 : 2023-10-31

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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