【选型】为航天级DC-DC电源选择合适的MOSFET:EPC2034,GaN工艺具有天然的抗辐照能力
在DC-DC电源设计中,拓扑结构一般是控制器+MOSFET,其中MOSFET金属氧化物场效应晶体管是驱动电路的核心器件,可以直接影响电源的效率。
传统的MOSFET基本都是基于硅材料半导体工艺,但在航天级DC-DC电源中硅工艺的MOSFET无法通过抗辐照测试。 EPC(宜普)推出了硅基增强型GaN MOSFET器件,针对200V的MOSFET应用,推荐GaN MOSFET EPC2034,额定电压200V,额定电流48A,脉冲电流200A,以下是EPC2034的电性能参数:
EPC2034时采用硅基GaN工艺的MOSFET,具有非常高的电子迁移率,可以达到很高的开关速度;其横向结构和多数载流子二极管使它可以达到非常低的总栅极电荷,因此导通电阻低至10mΩ,可以实现较低的导通损耗和功率损耗,提高电源工作效率;GaN工艺带来天然的抗辐照能力,可以达到航天级对器件抗辐照特性的要求,EPC的硅基GaN工艺的MOSFET在航天领域已经有成功应用,以下是EPC2034封装结构:
图1 EPC2034封装结构
综上所述,EPC的硅基增强型GaN MOSFET器件EPC2034,具有额定电压200V、10mΩ低导通电阻、4.6*2.6mm小尺寸封装、抗辐照的特性,是航天级DC-DC电源提高开关频率和工作效率的最佳选择。
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