【选型】为航天级DC-DC电源选择合适的MOSFET：EPC2034，GaN工艺具有天然的抗辐照能力

时间： 2019-08-07 来源：世强

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在DC-DC电源设计中，拓扑结构一般是控制器+MOSFET，其中MOSFET金属氧化物场效应晶体管是驱动电路的核心器件，可以直接影响电源的效率。

传统的MOSFET基本都是基于硅材料半导体工艺，但在航天级DC-DC电源中硅工艺的MOSFET无法通过抗辐照测试。 EPC（宜普）推出了硅基增强型GaN MOSFET器件，针对200V的MOSFET应用，推荐GaN MOSFET EPC2034，额定电压200V，额定电流48A，脉冲电流200A，以下是EPC2034的电性能参数：

EPC2034时采用硅基GaN工艺的MOSFET，具有非常高的电子迁移率，可以达到很高的开关速度；其横向结构和多数载流子二极管使它可以达到非常低的总栅极电荷，因此导通电阻低至10mΩ，可以实现较低的导通损耗和功率损耗，提高电源工作效率；GaN工艺带来天然的抗辐照能力，可以达到航天级对器件抗辐照特性的要求，EPC的硅基GaN工艺的MOSFET在航天领域已经有成功应用，以下是EPC2034封装结构：

图1 EPC2034封装结构

综上所述，EPC的硅基增强型GaN MOSFET器件EPC2034，具有额定电压200V、10mΩ低导通电阻、4.6*2.6mm小尺寸封装、抗辐照的特性，是航天级DC-DC电源提高开关频率和工作效率的最佳选择。

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