【产品】采用TO-263封装的N沟道功率MOSFET CM175N10GB,漏源电压VDS为100V
应能微推出一款采用TO-263封装的N沟道功率MOSFET CM175N10GB,其采用了高单元密度、沟槽技术。该器件为N沟道增强型功率场效应晶体管,因高密度工艺和设计,优化了器件的开关性能,尤其是最大限度地降低导通电阻。
等效电路和引脚配置图
特点:
●漏源电压VDS=100V
●连续漏极电流ID=175A(VGS=10V)
●漏源导通电阻RDSON<4.5mΩ(VGS=10V)
●采用高密度单元设计,可实现极低RDSON
●极小的导通电阻和出色的直流电流能力
应用:
●AC/DC负载开关
●开关电源(SMPS)
●笔记本电脑和手持设备适配器
●UPS电源
标记信息:
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明):
电气特性(TC=25℃,除非另有说明):
订购信息:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自应能微,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ, 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET,器件采用QFN5x6薄型封装,具有低导通电阻和开关速度快等特点,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具,同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-05-26
【产品】萨科微N沟道功率MOSFET器件2N7002,漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求
2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件,具有高漏源电压和高效导通等特点,适用于多种应用场合。该器件的漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求。同时,其导通电阻低,最小值为7.5Ω,能够提供更高的效率。此外,MOS管2N700的阈值电压高达2.5V,具有更好的抗干扰能力。该器件采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于布局设计和集成。
产品 发布时间 : 2023-09-27
【产品】500V/5A的N沟道增强型功率MOSFET SFF5N50TS/SFD5N50TS,采用平面条形VDMOS技术
SFF5N50TS/SFD5N50TS是Hi-Semicon推出的采用其专有的平面条形VDMOS技术生产的N沟道增强型功率场效应晶体管,分别采用TO-220F-3L和TO-252-2L封装,适用于功率因数校正、开关电源、不间断电源及LED照明电源等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-31
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08,导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ,无铅,符合RoHS,REACH标准,具有低导通电阻,高开关速度,低栅极电荷,高雪崩能量等优点,广泛应用在DC/DC转换器,电源设备,电动工具等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-15
【产品】75V,70A的N沟道功率MOSFET P70F7R5EN,导通电阻仅3.8mΩ
Shindengen(新电元)半导体公司推出了一款型号为P70F7R5EN适用于开关电源的N沟道MOSFET,10V栅极驱动,具有绝缘封装、低导通电阻、低电容的特点。可应用于DC-DC转换,继电器驱动,电源转换器电路等应用。
新产品 发布时间 : 2018-05-03
【产品】60V/3A的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B,采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B,采用SOT-23封装,漏源电压最大额定值为60V,栅源电压最大额定值为±16V。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计,可高速开关,产品可用于电池保护、负荷开关、电源管理等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-21
【产品】采用DFN3*3封装的N沟道功率MOSFET AP0803QD,导通电阻低至9mΩ
AP0803QD系列是铨力半导体推出的采用创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET,实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。采用DFN3*3封装,为设计者提供了一种极为高效的器件,可广泛用于各种电源应用领域。
产品 发布时间 : 2022-04-26
【应用】N沟道增强型功率MOSFET HM2318D可用于笔记本电脑的电源管理电路,漏源导通电阻典型值为32mΩ
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2318D漏源导通电阻小,开关损耗低,漏源击穿电压高,采用DFN2X2-6L贴片封装,能提高笔记本电脑电源管理电路工作效率和电池寿命,保证笔记本电脑电源管理电路的安全稳定,能满足笔记本电脑小型化设计需求。
应用方案 发布时间 : 2023-05-12
【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65,规格4A/650V,开关速度快且栅极电荷低
Diotec推出DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET,采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺,具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性,适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具以及商业、工业应用等。
新产品 发布时间 : 2022-08-20
150A/100V的N沟道功率MOSFET DI150N10TL/DI170N10TL
DI150N10TL和DI170N10TL是Diotec(德欧泰克)推出的两款N沟道功率MOSFET,采用HSOF-8-1封装,具有低导通电阻和快速开关时间等特点,外形尺寸扁平,节省空间。电气参数方面,这两款漏极-源极电压为100V,栅极-源极电压为±20V,功率耗散为104W,允许通过的漏极电流分别高达150A和170A。
新产品 发布时间 : 2020-06-20
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论