【产品】 提升PFC效率就选导通阻抗0.3Ω MOSFET
Central推出的UltraMOS系列 MOSFET具有耐高压，支持高速开关的特点，适合PFC、照明以及功率逆变器的设计，同时结合其超低导通阻抗，低阈值电压以及低栅极电荷，可提供最佳效率。
该系列产品可提供600V、700V、800V三种耐压等级具体型号包括CDM4-600LR、CDM2206-800LR、CDM7-600LR、CDM7-700LR、CDM22011-600LRFP、CDM22012-800LRFP。其连续漏极电流最高可达12A，适合大功率设计。
MOSFET的损耗包括通态损耗、导通损耗、关断损耗、驱动损耗及吸收损耗。UltraMOS系列的导通阻抗最低0.3Ω，最小阈值电压仅2.0V，可有效降低损耗，提升电路系统的效率。
在系统设计时，往往需要小型化，及提升开关频率，此时系统损耗中导通损耗和关断损耗占主要因素，而Central的UltraMOS系列MOSFET具有超低栅极总电荷，其Qgs值最低仅2.04nC，可有效减少MOSFET由开通到关断或者由关断到开通的时间，减少了进入线性区的时间，从而避免了产生更大的损耗。在同等的开关频率下，能够显著降低开关损耗，更适合高频率的开关电源应用，不仅可以减小产品体积，还能降低损耗，提升效率。
UltraMOS系列 MOSFET的工作结温范围为-55~+150℃，提供DPAK、TO-220FP、TO-220三种行业标准封装，可实现高功率密度。
Central UltraMOS的特点：
• 漏极-源极电压：最高可达800V
• 连续漏极电流：最高12A
• 导通阻抗：最小0.3Ω
• 阈值电压：最低2.0V
• 栅极总电荷：最低2.04nC
• 工作结温范围：-55~+150℃
• 封装：包括DPAK，TO-220FP，TO-220
Central UltraMOS的应用：
• 功率因数校正PFC
• 固态照明（SSL）
• 替代能源逆变器
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Central CDM4-600LR/CDM7-600LR/CDM7-700LR 数据手册 详情>>>
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yingqiming Lv7. 资深专家 2017-12-27不错 -
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Paulwang Lv8. 研究员 2017-11-24挺好的，厉害 -
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每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2017-11-01好，推荐使用 -
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terrydl Lv9. 科学家 2017-09-30性能不错
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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
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型号- UYC-200-260P,UYC-200-260PA,UYC-200-260PA系列
三菱IPM模块一般只有三相逆变模块，而不带整流桥和PFC功率管，是否有集成度更高的IPM模块？
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CDFM10-600N表面贴装硅N沟道中等功率MOSFET 10A，600伏
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CDFM10-600N型600伏N沟道MOSFET，适用于高压、快速切换应用，如功率因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。该MOSFET具有高电压能力、低rDS(ON)、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。
型号- CDFM10-600N
CDM7-650表面贴装硅N沟道中功率MOSFET 7.0安培，650伏
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CDM7-650型650伏N沟道MOSFET。这款MOSFET适用于高压、快速切换应用，如功率因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。它结合了高电压能力、低导通电阻、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。
型号- CDM7-650,CDM7-650 BK,CDM7-650 TR13
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作为集成电路的重要组成部分，功率半导体在新能源汽车、充电桩，到工业自动化、变频伺服、电源，再到轨道交通、电力机车等，都有广泛的运用，市场空间巨大。也由此，在3月15日的“世强硬创峰会”上，将专门设有功率电子专场，系统讨论最新的功率器件产品及发展趋势。
在变频器的应用中，需要高集成功率模块，要求其内置包括三相整流，PFC，三相全桥逆变部分，电压大于1100V，电流大约70A，请推荐一个型号。
推荐功率模块V23990-P760-A60-PM，该模块内置包括三相整流，PFC，三相逆变部分，电压为1200V，电流为100A，满足设计要求。
CDM7-600LR表面贴装硅N沟道LR功率MOSFET 7.0安培，600伏
描述- 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CDM7-600LR型表面贴装硅N沟道功率MOSFET。这款MOSFET适用于高压、快速切换应用，如功率因数校正（PFC）、照明和电源逆变器。它具有高电压能力、极低的导通电阻、低阈值电压和低栅极电荷，以实现最佳效率。
型号- CDM7-600LR
电子商城
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥0.8136
现货： 16,000
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount MOSFET
价格：￥2.1357
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现货市场
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