【产品】60V/180A功率MOSFET RZ2L18CGN，采用TO-247N小封装，结壳热阻最大仅为0.75℃/W
罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件等应用的全球最知名主要供应商之一。近期其推出了60V/180A的RZ2L18CGN功率MOSFET，采用TO-247N的封装设计，具有具有导通电阻低、高功率小型模具封装和无铅电镀（符合RoHS标准）等特点，是开关电路领域的不二选择，其产品图及其电气原理图如图1。
图1 该功率MOSFET的产品图及其内部电路图
RZ2L18CGN功率MOSFET的漏源电压为60V，连续漏极电流为±180A，单脉冲雪崩电流为40A，单脉冲雪崩能量为61mJ，可有效抑制雪崩效应，耗散功率为166W，静态漏源导通电阻典型值为2.5mΩ。同时，其具有低电容特性，其输入电容典型值为7100pF、输出电容典型值为1380pF、反向传输电容350pF。此外，产品开启延迟典型值为33ns，关断延迟典型值为180ns，上升时间为48ns，下降时间为250ns，具有高速开关的特性，可以满足高频开关电路设计需求。另外，该功率MOSFET的工作结温为150℃，存储温度范围为-55℃~150℃，同时结壳热阻最大值为0.75℃/W ，可以在温度苛刻的环境下长时间工作，具有高电气可靠性和安全性。
表1 该功率MOSFET最大额定值
该功率MOSFET产品特性：
•低导通电阻
•高功率小型模具封装
•无铅电镀，符合RoHS标准
该功率MOSFET应用领域：
•开关电路
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