英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗,产品在消费类、汽车激光雷达,数据中心,新能源与储能领域的多个应用中大批量交付
截至2023年8月,英诺赛科氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗!
产品在消费类(快充、手机、LED),汽车激光雷达,数据中心,新能源与储能领域的多个应用中大批量交付,帮助客户实现小体积、高能效、低损耗的产品设计。
据TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告》显示,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,复合增长率高达65%。
得益于市场应用范围的扩大和八英寸硅基氮化镓技术的成熟,英诺赛科2023年上半年销售额比去年同期增长500%,累计出货量成功突破3亿颗!
从第一款产品诞生到多形态产品衍生
2017年11月
英诺赛科开启全球首条 8 英寸硅基氮化镓量产线,采用IDM全产业链模式,成功研制 8 英寸硅基氮化镓晶圆。
2018年5月
英诺赛科第一款低压氮化镓功率器件上市。
2019年6月
英诺赛科650V 高压氮化镓器件通过JEDEC。自此,英诺赛科成为全球唯一一家同时量产高压和低压氮化镓的半导体公司。
2021年3月
英诺赛科双向导通芯片 V-GaN 正式量产,是全球唯一一款可应用于高压侧负载开关,智能手机 USB /无线充电端口内置 OVP 保护,多电源系统中的开关电路等场景的GaN芯片。
2022年11月
英诺赛科 INN100W032A 荣获IIC全球电子成就奖,该产品栅极电荷仅为 Si MOS 的20%,Ciss仅为 Si MOS 的 40%,可广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等产品领域。
2023年1月
英诺赛科推出100V高集成半桥驱动合封芯片SolidGaN- ISG3201,进一步提升数据中心模块电源、电机驱动、D类功率放大器、光伏逆变器及轻混电动汽车等48V电源系统的整体性能。
截至2023年8月,英诺赛科成功量产高压氮化镓芯片(650V-700V)54款,中低压氮化镓芯片(30V-150V)20 款,产品涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类。
从手机快充到多领域应用逐一突破
2019年
英诺赛科650V 器件正式进入快充市场。随后得到华硕、安克、努比亚、倍思、绿联、闪极等多个终端品牌采用,应用于30W-120W氮化镓快充产品。
2020年
英诺赛科100V 低压GaN 成功导入禾赛激光雷达并实现量产,驱动激光器实现更短时间内的图像传输。
2021年3月
腾讯×努比亚红魔手机6Pro发布,其标配的业界首款120W黑魔方氮化镓快充内置英诺赛科650V芯片。随着Oppo、Vivo、联想等厂商的相继采用,手机标配氮化镓快充成为行业趋势。
2021年10月
英诺赛科自主研发的双向导通产品 VGaN 率先导入 OPPO 手机,成为全球首款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片。Realme、一加、联想、摩托罗拉等手机也相继采用VGaN实现充电保护,氮化镓在消费类电子开拓了新应用空间。
2022年5月
首诺信的发布全球最小的45W/65W PD 车充,采用英诺赛科40V低压产品INN040FQ043A。
2022年7月
安克联合英诺赛科共同发布全球首款65W全氮化镓快充,独创的全氮化镓技术首次在AC和DC端同时采用氮化镓功率芯片,使系统功率密度和效率达到了全新高度。
2022年10月
英诺赛科氮化镓首次在工业电源产品上实现大规模量产,全面提升能源转换效率,降低系统能耗。
2023年4月
英诺赛科低压产品从工业级应用进军到车规级应用,成功进入汽车激光雷达市场。
2023年7月
英诺赛科开始将氮化镓应用于新能源光伏发电领域,进一步缩小了模块体积,提高系统效率,与合作伙伴共同打造轻便、高效的光伏产品。
产品与市场共推行业迈入新赛道
氮化镓功率器件的应用主要由消费电子所驱动,因其具备小体积、高频高效的优势,能够满足消费电子市场对电源产品小型化、快速化及低发热的强烈需求。在快充市场的带动下,手机标配快充、手机内部充电保护也逐一采用氮化镓,并在市场上得到良好反馈。由此,消费领域对氮化镓的需求全面铺开。而这也仅仅是氮化镓走向市场的开端。
受日益严峻的能源危机和绿色低碳发展趋势的影响,各国纷纷出台减碳政策,工业市场(新能源、数据中心)对高效、节能产品的需求大增,氮化镓无疑是工业领域降本增效的关键。
而随着汽车电气化的持续推进,汽车电子成为各半导体厂商纷纷布局的市场。英诺赛科在2021年通过IATF 16949车规级认证,采用英诺赛科氮化镓的激光雷达产品已率先应用于自动驾驶汽车。据行业预测,2025年氮化镓将渗透到低功率OBC和 DC-DC,2023年或将进入牵引逆变器中。
氮化镓应用已经步入快车道,随着市场需求的急剧增长,器件的可靠性与大批量稳定供货成为关键。基于先进且完善的8英寸硅基氮化镓研发和制造平台,英诺赛科当前产能已达到每月15000片,在规模化、可靠性与成本上具备极大优势,IDM模式也能快速实现产品的更新迭代,或将成为推动行业发展的中坚力量。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由玉鹤甘茗转载自英诺赛科 微信公众号,原文标题为:英诺赛科氮化镓出货量突破3亿颗!,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
必易微针对USB PD快充推出的两款合封氮化镓芯片,内置导阻氮化镓开关管,支持45W/100W功率输出
必易微副总裁、电源管理AC-DC产品线总经理张波先生发表了《必易微高性能、高可靠性氮化镓快充解决方案介绍》为主题的演讲,基于对氮化镓器件特性的分析,详细介绍了必易微在氮化镓直驱以及合封方案上的优势,着重突出了方案的可靠性。
泰高提供集成氮化镓驱动器与氮化镓FET的氮化镓电源芯片,易驱动且无反向恢复,适用于硬开关、快充等应用
泰高技术提供氮化镓电源芯片产品,芯片集成氮化镓驱动器与氮化镓FET,适合客户设计高功率密度和高效的AC/DC电源。以易驱动,无反向恢复的优势,非常适合于硬开关应用。
拆解报告:公牛65W 1A1C氮化镓充电器
充电头网通过拆解了解到,公牛这款氮化镓充电器采用杰华特JW1515HA+JW7726快充电源方案,搭配使用英诺赛科INN650D150A氮化镓开关管。采用两颗智融SW2303协议芯片分别对应USB-C和USB-A接口,并使用两颗防过充保护芯片进行自动断电功能。USB-A口采用同步升降压芯片进行电压转换。内部采用导热胶填充,增强散热性能。
氮化镓快充完整解决方案:原理图、BOM、设计参考、免费样品
本方案采用GaN FET作为主开关器件,并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件,实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。所有推荐产品均可以提供免费样品,100%保证原厂正品,同时保证提供最具竞争力的代理商价格。
周年庆世强硬创30周年,为30000个“铁粉”定制筋膜枪、氮化镓快充等专属礼品
平台为活跃的研发、采购工程师定制全自动雨伞、无线电竞鼠标、筋膜枪、氮化镓快充专属礼品,共同庆祝世强三十周年。
钰泰半导体同步整流芯片ETA80033,内置5mΩ同步整流管,被意象40W 1A1C氮化镓充电器采用
充电头网拿到了意象的一款40W双口氮化镓充电器,通过拆解了解到,意象这款40W氮化镓充电器采用茂睿芯MK2788氮化镓合封芯片搭配钰泰ETA80033同步整流芯片组成开关电源,两款芯片均为内部集成开关管,外围元件精简。
【技术】一文介绍芯众享碳化硅和氮化镓器件在服务器电源上的应用
碳化硅在服务器电源中率先得到应用。得益于碳化硅极小的反向恢复损耗,碳化硅二极管较早便取代了PFC中的硅二极管,立竿见影的提高了PFC的效率。随着碳化硅MOSFET技术的成熟和可靠性的提高,又出现了采用碳化硅MOSFET取代硅MOSFET的设计。
【经验】东科高性能氮化镓电源芯片DK065G用于通信服务器电源系统的开发经验分享
为更好提供大功率通信服务器电源,现在不少行业头部公司选用东科内置氮化镓ACDC芯片做为辅助电源供电来进行设计。本文针对高性能氮化镓电源芯片DK065G用于通信服务器电源系统的设计情况做简单分析,希望对大家能有所帮助。
钰泰18V/2A的同步降压转换器ETA8121,为倍思67W氮化镓桌面快充充电器的内部芯片供电
倍思推出了一款全新的氮化镓桌面快充,这款充电器具备2C1A三个接口,支持67W输出功率,并且具备HDMI视频扩展,支持4K分辨率输出,将扩展坞和快充充电器合二为一。充电头网对该充电器进行了拆解,其中,两颗同步降压芯片来自钰泰,型号为ETA8121,是一颗18V输入,2A输出电流的同步降压转换器,采用电流模式控制,无需外置补偿电路,具备欠压闭锁和过热关断。
诚芯微40W双C口氮化镓快充方案采用CX75GD025E和CX7539F,助力Iphone16顺利发售
诚芯微多款合封氮化镓方案齐上阵,涵盖20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一颗合封氮化镓芯片可轻松取代初级侧两到三颗芯片的功能,通过高集成度的合封芯片,设计出精简高效的氮化镓充电器,能够有效地简化充电器设计和生产流程,助力Iphone16系列顺利发售,助力行业客户迅速抢占市场。
沃尔德整流桥WRLSB80M用于铭普光磁65W超薄氮化镓快充充电器,拥有良好的散热特性,帮助中大瓦数适配器提升可靠性
铭普光磁推出了一款超薄氮化镓快充,这款充电器采用国标折叠插脚,流行超薄设计,实测机身厚度仅为13mm,非常方便日常携带收纳。整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司,型号WRLSB80M;充电器初级侧采用了东科半导体的合封氮化镓系列产品DK065G;同步整流芯片来自东科半导体,型号DK5V100R10V。
功耗低至30mW、最高支持500k频率的QR模式反激控制芯片,在PD 65W氮化镓快充方案的应用
描述- 富满微电子集团股份有限公司新品介绍会中,重点展示了FM2842反激控制器芯片,其特点包括低功耗、高频率调节、国产化替代安森美NCP1342等。同时,介绍了XPD9系列PD快充协议芯片,具备极简外围设计,支持多种应用场景。此外,还展示了65W氮化镓PD方案的应用实例。
型号- PD65W,XPD9,XPD930D6545,FM2842,NCP1342AMDCD,FM2542,XPD320,XPD720,XPD920,XPD820,XPD767,XPD618,XPD738,NCP1342,XPD818,XPD938,XPD819,XPD9系列,XPM5013,INN650D02,IPT2601,PIN-PIN,XPD930,XPD636,XPD977,XPD319,ATQ2516
TCL单C口30W氮化镓快充充电器拆解:充电器内部采用诚芯微CX75GE048IES及CX7539F
TCL这款30W氮化镓充电器为直板造型设计,搭配美规固定插脚,充电器为USB-C输出接口,支持QC3.0/4+和华为FCP快充,以及三星AFC快充,该款氮化镓充电器内部采用诚芯微整套CX75GE048IES+CX7539F电源方案,得益于诚芯微科技高集成方案的使用,可有效精简外围电路以及降低设计难度,充电器内部电容与变压器打胶固定,初次级之间通过隔离板绝缘,内部用料和设计都很可靠。
诚芯微65W高密度氮化镓快充参考设计:双口同时输出时支持20+30W功率分配,并支持PPS快充
诚芯微65W超薄氮化镓快充方案采用反激加同步整流架构,使用了先进的平面变压器技术,初级PWM采用CX1342搭配氮化镓功率器件;输出双C接口采用DC降压芯片CX8571和双C口协议输出,可同时给两个设备进行快充,单口支持65W最高充电功率(5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A)。双口共同输出时为20W+30W功率智能分配。
良工67W 2A2C氮化镓快充插座使用沃尔德整流桥WRLSB80M,帮助中大瓦数适配器提升可靠性
良工推出了一款67W输出功率的氮化镓快充插座,这款快充插座自带1.5米长电源线,具备两个新国标五孔插孔和一个双孔插孔,并设有总控开关和LED电源指示灯。整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司,型号WRLSB80M;非隔离供电芯片来自必易微,型号KP15051。
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制,语音时长:40秒~3小时(外挂flash),可以外挂TF卡或U盘扩容。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论