国内领先的MOSFET功率器件制造商——锐骏半导体(Ruichips)
产品亮点:
功率模块
●包括同步整流模块,电源模块,逆变模块,无线充模块,锂电模块,IGBT模块等;产品自主研发比例超95%,第五代SGT产品技术,Pitch Size可达到国外品牌水平及规模化制造能力保证稳定供货;更低的通态压降以及漏电流,抗雪崩能力,极大的降低了开关损耗;更低的热阻设计,良好的高温特性,适合多应用领域。
MOSFET
●主打中压MOSFET和低压MOSFET(VDSS: 20V~120V)、高压MOSFET(VDSS:650V~1200V); 多种外形封装,中低压MOSFET采用沟槽和SGT工艺,高压MOSFET采用平面以及COOL MOS工艺;超低内阻的芯片设计;同时自有应用与封装实验室可为客户提供快速有效的服务;自有封装产线及先进封装工艺技术优势,可提供更优的成本,使产品更具市场竞争力。
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Jeffrey Lv7. 资深专家 2022-04-14666啊
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极度认真 Lv8. 研究员 2022-04-06国产崛起
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luck Lv7. 资深专家 2022-03-03学习
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小康 Lv7. 资深专家 2022-03-03学习
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WilberTse Lv6. 高级专家 2022-03-01不错不错!
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用户56731903 Lv9. 科学家 2022-03-01了解一下!!!
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用户16315023 Lv4. 资深工程师 2022-02-28学习
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用户49300546 Lv3. 高级工程师 2022-02-28学习
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沉浮 Lv7. 资深专家 2022-02-28学习
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
100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS,具有低导通电阻和低阈值电压等特性
萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管,漏源电压达到100V,连续漏极电流为33A,具有低导通电阻和低阈值电压等特性,使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。
-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305,在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势
IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(-60V)和大电流承受能力(-30A),非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(26mΩ@-10V,-15A)和较低的阈值电压(-1.8V@-250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
【产品】采用SOT23-6封装的N沟道增强型MOS场效应管8205LA,漏源电压20V
富满电子推出的漏源电压20V的N沟道增强型MOS场效应管,型号8205LA,采用SOT23-6封装,具有专有的先进平面技术、高密度超低电阻设计、大功率应用、大电流应用和理想的锂电池应用等特点。
【产品】国产P沟道MOS场效应管BRCS50P06FA,门电荷低,适用于汽车电路及DC/DC转换
蓝箭电子推出的P沟道MOS场效应管BRCS50P06FA,采用TO-220F塑封封装。其具有RDS(on)小,门电荷低,Crss小,开关速度快。BRCS50P06FA用于低压电路如汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
60V/50A的N沟道MOS场效应管SL50N06D,具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点
SL50N06D是一款N沟道MOS场效应管,采用先进的Trench技术生产。其具有较高的漏源电压(60V)和连续漏极电流(50A),具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点。它在BLDC电机技术领域不仅能够提高电力传动系统的效率和性能,还能够实现更加智能化的控制,通过对电机相电流进行高精度调控,实现了电机的高效、平稳运行。
【选型】1200V SIC场效应管P3M12040K4用于直流充电桩模块电源,导通内阻低至40mΩ
派恩杰推出的SIC场效应管P3M12040K4具有漏源耐压值高,导通内阻小,开关频率高的特点;本文就P3M12040K4从功能性能参数以及封装大小方面进行分析,从而讨论其在直流充电桩模块电源中应用的优势。
【产品】20V/6A的N沟道增强型MOS场效应管.8205A,具有高密度超低电阻设计,最大功耗1.9W
富满微电子推出的.8205A 20V N沟道增强型MOS场效应管,特点:1、具有专有的先进平面技术;2、高密度超低电阻设计;3、大功率、大电流应用;4、理想的锂电池应用;5、封装形式:SOT23-6、TSSOP-8。
240V/0.1A N沟道MOS场效应管BSS131,导通电阻小,发热量低,适用于LED驱动电源
BSS131是一款N沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高电压承受能力(240V)和一定的电流承受能力(0.1A),非常适合用于低压和中压的开关和功率控制应用中。此外,其较低的导通电阻和较低的阈值电压保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
【产品】大电流高电压场效应管,最大漏极电流为220A
Kyocera的PDM1102H/P2HM1102H系列MOSFET模块具有工作电流大,绝缘电压高,低导通电阻的特点,适合应用于高频开关电源设计。
【产品】萨科微新推出可控硅BTA41-800B等系列,可广泛用于智能小家电、洗碗机等领域
萨科微公司“slkor”品牌的SL系列可控硅产品BTA06-800B、BTA08-800B、BTA12-600B、BTA16-800B等,系列型号齐全覆盖面广,广泛应用在智能小家电、高速电吹风、洗碗机、电动牙刷、卷发器、智能马桶、工控类产品。
场效应管SL8N65CD采用先进的超级结MOSFET技术生产,广泛用于电源电路领域
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【产品】采用DFN2×2B-6L塑封封装的P沟道MOS场效应管BRCS150P02ZJ,VDSS值为-20V
蓝箭电子推出的P沟道MOS场效应管BRCS150P02ZJ,采用DFN2×2B-6L塑封封装。具有VDS(V)=-20V,ID=-11A,RDS(ON)@-4.5V≤17mΩ,HF Product的特征。该产品可用于电源管理,便携式设备和电池供电系统。
【产品】采用专有的先进平面技术的N沟道增强型MOS场效应管8205L,额定漏极电流为6A
富满电子推出的20V N沟道增强型MOS场效应管,型号8205L,采用SOT23-6封装,具有专有的先进平面技术、高密度超低电阻设计、大功率、大电流应用和理想的锂电池应用等特点。
Advancements in GaN Motor Drive Inverters Revolutionize UAV Drones for Agricultural Applications
型号- EPC9193,EPC9194,EPC2088
电子商城
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
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可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。
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