【产品】国产Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U，RDS低至3.0mΩ

时间： 2021-10-26 来源：长晶科技

技术问答

长晶科技的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U，漏源级击穿电压为80V，连续漏极电流为100A，不含卤素，符合RoHS标准。该产品采用先进的Cu-Clip封装工艺，封装形式为PDFNWB5×6-8L。相较于普通封装工艺的贴片封装，Cu-Clip封装工艺具有更好的导电性与散热性，且厚度仅为1mm。SGT工艺MOSFET，具有较低的RDS（on），同时具有优秀的动态特性参数，可用于BMS、BLDC、PD充电器，电源模块开关以及同步整流等应用。

CJAC100SN08U的脉冲漏极峰值电流为300A，过流能力出色。器件的最高结温为150℃，存储温度范围-55~150℃。器件的结壳热阻的典型值为1.25℃/W。Tj=25℃下，MOSFET的RDS（on）典型值为3.0mΩ@VGS=10V；阈值电压典型值为2.8V；Rg典型值为2.5Ω；Ciss结电容典型值为3780PF；Qg典型值为60nC。

特点：

•低RDS（on）

•低Ciss

•低热阻

•出色的动态特性

•高浪涌过流能力

优势：

•优秀的散热能力

•超低栅极电荷

•低反向传输电容

•快速开关切换能力

•更强的耐雪崩能量冲击能力

应用：

•开关电源（SMPS）

•PD充电器

•BMS

•LED照明电源

•BLDC

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全部评论（3）

用户79742629 Lv7. 资深专家 2021-10-28

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stiutk Lv8. 研究员 2021-10-27

学习
zwjiang Lv9. 科学家 2021-10-27

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