【产品】国产Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U,RDS低至3.0mΩ

2021-10-26 长晶科技
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长晶科技的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U,漏源级击穿电压为80V,连续漏极电流为100A,不含卤素,符合RoHS标准。该产品采用先进的Cu-Clip封装工艺,封装形式为PDFNWB5×6-8L。相较于普通封装工艺的贴片封装,Cu-Clip封装工艺具有更好的导电性与散热性,且厚度仅为1mm。SGT工艺MOSFET,具有较低的RDS(on),同时具有优秀的动态特性参数,可用于BMS、BLDC、PD充电器,电源模块开关以及同步整流等应用。


CJAC100SN08U的脉冲漏极峰值电流为300A,过流能力出色。器件的最高结温为150℃,存储温度范围-55~150℃。器件的结壳热阻的典型值为1.25℃/W。Tj=25℃下,MOSFET的RDS(on)典型值为3.0mΩ@VGS=10V;阈值电压典型值为2.8V;Rg典型值为2.5Ω;Ciss结电容典型值为3780PF;Qg典型值为60nC。


特点:

•低RDS(on)

•低Ciss

•低热阻

•出色的动态特性

•高浪涌过流能力

 

优势:

•优秀的散热能力

•超低栅极电荷

•低反向传输电容

•快速开关切换能力

•更强的耐雪崩能量冲击能力

 

应用:

•开关电源(SMPS)

•PD充电器

•BMS

•LED照明电源

•BLDC


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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  • 用户79742629 Lv7. 资深专家 2021-10-28
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  • stiutk Lv8. 研究员 2021-10-27
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  • zwjiang Lv9. 科学家 2021-10-27
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产品型号
品类
Status
Type
Process
ESD(Yes/No)
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
VGS(TH)(V)
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
Package
2N7000_TO-92
Trench MOS
Active
Single-N
Trench
No
60
-
0.2
0.8~3
-
5000
-
6000
TO-92

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